研究者
J-GLOBAL ID:200901086670180131   更新日: 2022年05月12日

岩室 憲幸

イワムロ ノリユキ | Iwamuro Noriyuki
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (1件): http://power.bk.tsukuba.ac.jp/
研究分野 (1件): 電子デバイス、電子機器
研究キーワード (1件): パワーデバイス
競争的資金等の研究課題 (9件):
  • 2021 - 2024 SiC-MOSFET負荷短絡時の素子残留ダメージが信頼性特性へ及ぼす影響の研究
  • 2021 - 2023 SiCスーパージャンクション、バイポーラデバイス要素技術開発、高耐圧モジュール及び電力制御の要素技術開発
  • 2021 - 2022 高速スイッチングでさらなる低スイッチング損失の実現を目指したSiCパワーデバイス向け低インダクタンスパッケージの開発
  • 2019 - 2020 ノイズ計測器向け高速・高耐圧パワー半導体デバイス構造に関する研
  • 2019 - 2020 超低オン抵抗SiCトレンチMOSFETのインピーダンスソースインバータ回路への適用可能性の研究
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論文 (102件):
  • 岩室,憲幸. 自動車電動化へ向けたSiC/GaN パワーデバイスの最新開発状況と課題. 車載テクノロジー. 2021
  • 姚 凱倫, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki. Investigations of short-circuit failure in double trench SiC MOSFETs through three-dimensional electro-thermal-mechanical stress analysis. Microelectronics Reliability. 2021. 122. 114163. 114163-1-114163-10
  • 坂田 大輝, 岡本 大, Sometani, M, Okamoto, M, Hirai, H, Harada, S, Hatakeyama, T, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki. Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. 6. 060901-1-060901-4
  • Yao, Kailun, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki. Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis. Proceedings of The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021). 2021. 115-118
  • 松井ケビン, 饗場 塁士, 馬場正和, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki. Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs. Proceedings of the 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021). 2021. 215-218
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特許 (10件):
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書籍 (36件):
  • 電気評論
    2020
  • 工業材料
    日刊工業新聞社 2020
  • AEI 亜州電子信息
    2020
  • 電気学会技術報告書
    電気学会 2020
  • クリーンテクノロジー
    日本工業出版 2020
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講演・口頭発表等 (112件):
  • Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis
    (The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021)
  • Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
    (The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021)
  • Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
    (The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021)
  • 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析
    (第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
  • 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化
    (第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
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学歴 (2件):
  • 1992 - 1993 North Carolina State University
  • 1980 - 1984 早稲田大学 電気工学科
学位 (2件):
  • 博士(工学) (早稲田大学)
  • ph.D(Engineering) (Waseda University)
経歴 (2件):
  • 1984/04 - 現在 富士電機株式会社
  • 2009/04 - 2013/03 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
委員歴 (14件):
  • 2017/01 - 現在 IEEE EDS Power Device Technical Committee Member
  • 2021/06 - 2022/01 IEEE IEDM2021 IEEE IEDM2021 Power Devices and Systems Sub-Committee member
  • 2020/06 - 2021/06 第33回 ISPSD 2021 第33回 ISPSD 2021 組織委員会委員
  • 2017/04 - 2020/03 電気学会 パワーデバイス・パワーIC高性能化技術調査専門委員会/委員
  • 2018/10 - 2019/09 SSDM 2019 Area4(Power Device) Program Committee Vice Chair
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受賞 (3件):
  • 2020/12 - 日経エレクトロニクス 日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞 SBD内蔵SiCトレンチMOSFET実用化への道筋
  • 2020/04 - 電気学会 電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞 電気学会技術報告書第1420号(2018年4月発行)
  • 2011/08 - 電気学会 電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞 著書「世界を動かすパワー半導体」
所属学会 (3件):
IEEE ,  電気学会 ,  応用物理学会
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