研究者
J-GLOBAL ID：200901091750431201   更新日: 2024年07月22日

矢野 裕司

ヤノ ヒロシ | YANO Hiroshi
所属機関・部署：
筑波大学 数理物質系

筑波大学 数理物質系 について


職名： 准教授
論文 (161件)：
  • 矢野, 裕司. チャージポンピング法によるMOS界面欠陥評価のための+αの研究技術. 応用物理. 2024. 93. 3. 179-183
  • 鈴木一広, 矢野裕司, 岩室, 憲幸. 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析. 令和6年電気学会全国大会 講演論文集. 2024. 4. 20. 34-35
  • 菊池真矢, 矢野裕司, 岩室, 憲幸. SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析. 令和6年電気学会全国大会 講演論文集. 2024. 4. 19. 32-33
  • 森海斗, 岩室憲幸, 矢野, 裕司. 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート-ドレイン間寄生容量特性解析. 令和6年電気学会全国大会 講演論文集. 2024. 4. 22. 37-38
  • 森海斗, 岩室憲幸, 矢野, 裕司. 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価. 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集. 2023. 101-102
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特許 (1件)：
  • •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
書籍 (2件)：
  • 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開
    シーエムシー出版 2021 ISBN:9784781316130
  • Compound Semiconductor
    Angel Business Communications publication 2017
講演・口頭発表等 (163件)：
  • SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析
    (令和6年電気学会全国大会)
  • 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析
    (令和6年電気学会全国大会)
  • 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート-ドレイン間寄生容量特性解析
    (令和6年電気学会全国大会)
  • 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価
    (先進パワー半導体分科会 第10回講演会)
  • SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果
    (先進パワー半導体分科会 第10回講演会)
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委員歴 (40件)：
  • 2023/04 - 現在 SiCアライアンス 技術・普及WG/グループリーダー
  • 2022/10 - 現在 SSDM 2023 プログラム委員会/JJAP特集号責任編集委員
  • 2022/10 - 現在 ICSCRM 2023 プログラム委員会/委員
  • 2022/09 - 現在 ICSCRM 国際運営委員会/委員
  • 2022/01 - 現在 SSDM 2022 Program Committee/JJAP Special Issues Editors
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