中嶋誠二

ナカシマセイジ | Nakashima Seiji

所属機関・部署：
職名：准教授
ホームページURL (1件)： http://www.eng.u-hyogo.ac.jp/eecs/eecs7/index_j.html

研究分野 (2件)：電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学

研究キーワード (9件)：マルチフェロイック , 強誘電体 , スパッタ , 薄膜 , ビスマスフェライト , BiFeO3 , multiferroics , Thin films , BiFeO3

競争的資金等の研究課題 (16件)：

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論文 (71件)：

Takeshi Fukuda, Kenji Iimura, Takanori Yamamoto, Ryuki Tsuji, Maito Tanabe, Seiji Nakashima, Naoki Fukumuro, Seigo Ito. Ozone-Assisted Hydrothermal Synthesis Method of Sb-Doped SnO2 Conductive Nanoparticles for Carbon-Free Oxygen-Reduction-Reaction Catalysts of Proton-Exchange-Membrane Hydrogen Fuel Cells. Crystals. 2024. 14. 462-1-20
Kazuki Arima, Seiji Nakashima, Koji Kimura, Koichi Hayashi, Naohisa Happo, Hironori Fujisawa. Local atomic structure of V-doped BiFeO3thin films measured by X-ray fluorescence holography. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SM1017-1-5
Takeshi Asuka, Junpei Ouchi, Hironori Fujisawa, Seiji Nakashima. Crystallization of (Hf, Zr)O2thin films via non-heating process and their application to ferroelectric-gate thin film transistors. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SM1019-1-6
Seiji Nakashima, Tatsuya Ito, Takuo Ohkochi, Hironori Fujisawa. Assessment of polarization-related band modulation at graphene/Mn-doped BiFeO3 interfaces by photoemission electron microscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 61
Hironori Fujisawa, Kazuma Ikeda, Seiji Nakashima. Nonvolatile operation of vertical ferroelectric gate-all-around nanowire transistors. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. SF

MISC (29件)：

有馬知希, 中嶋誠二, 木村耕治, 林好一, 八方直久, 藤沢浩訓. 蛍光X線ホログラフィー法によるVドープBiFeO₃薄膜の局所構造解析. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
中嶋誠二, 加藤廉, 有馬知希, 木村耕治, 八方直久, 林好一, 藤沢浩訓. インバースモード蛍光X線ホログラフィーを用いたMnドープBiFeO₃薄膜の電場下における構造解析. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
外山寛, 木村耕治, 中嶋誠二, 八方直久, SEKHAR Halubai, 岩田真, 林好一. 電圧印加蛍光X線ホログラフィーによるPb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃の構造解析. 日本物理学会講演概要集(CD-ROM). 2023. 78. 2
中嶋誠二, 藤沢浩訓, 清水勝. 強誘電体薄膜のバルク光起電力効果を用いた高電圧発生とそれを用いた光駆動アクチュエータ. 岩谷直治記念財団研究報告書. 2019. 42
藤沢浩訓, 清水勝, 中嶋誠二. 強誘電体ナノワイヤキャパシタの作製 : 高集積強誘電体メモリへの応用を目指して (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2016. 116. 118. 15-19

講演・口頭発表等 (129件)：

Electric-field-induced Structural Changes around Fe and Mn Atoms in Mn-doped BiFeO3 Single Crystal Thin Film Measureed by X-ray Fluorescence Holography
(International Conference on Complex Orders in Condensed Matter 2023 (ICCOCM2023) 2023)
Dopant-induced Local Atomic Structure Modulation of Transition-metal-doped BiFeO3 Single Crystal Thin Films Measured by X-ray Fluorescence Holography
(International Conference on Complex Orders in Condensed Matter 2023 (ICCOCM2023 2023)
Local structure analysis around Fe sites in Bi(Fe,V)O3 thin films using X ray fluorescence holography
(The 9th International Symposium on Orgaic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2023) 2023)
非加熱プロセスによる HZO 薄膜の結晶化と透明薄膜トランジスタへの応用
(第40回強誘電体会議(FMA40) 2023)
V ドープ BiFeO3薄膜における Fe 原子近傍の局所構造解析
(第40回強誘電体会議(FMA40) 2023)

学歴 (2件)：

学位 (1件)：

経歴 (6件)：

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所属学会 (2件)：

米国材料学会 , 応用物理学会

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中嶋 誠二