室谷英彰

ムロタニヒデアキ | Murotani Hideaki

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (3件)：電気電子材料工学 , 結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (4件)：半導体光物性 , レーザ分光 , 光物性 , 半導体

競争的資金等の研究課題 (8件)：

全件表示

論文 (37件)：

Hideaki Murotani, Kunio Himeno, Hayate Ohkawara, Kaichi Tani, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Noritoshi Maeda, Muhammad Ajmal Khan, Hideki Hirayama, Yoichi Yamada. Photoluminescence Excitation Spectroscopy of Stimulated Emission from AlGaN-Based Multiple Quantum Wells with an Emission Wavelength Around 280 nm. physica status solidi (b). 2024. 261
Hideaki Murotani, Kosuke Inai, Kunio Himeno, Kaichi Tani, Hiromasa Hayashi, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada. Temperature- and Excitation Power Density-Resolved Photoluminescence of AlGaN-Based Multiple Quantum Wells Emitting in the Spectral Range of 220-260 nm. physica status solidi (b). 2024. 261
Hideaki Murotani, Keigo Nakatsuru, Satoshi Kurai, Narihito OKADA, Yoshiki Yano, Shuichi Koseki, Piao Guanxi, Yoichi Yamada. Effects of GaN cap layer thickness on photoexcited carrier density in green luminescent InGaN multiple quantum wells. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 3. 031001-031001
Hideaki Murotani, Yoichi Yamada, Hideki Hirayama. Excitonic optical properties of deep-UV luminescent AlGaN. JSAP Review. 2022. 2022. 220405
Hideaki Murotani, Atsushi Fujii, Ryota Oshimura, Takafumi Kusaba, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada. Extremely high internal quantum efficiency of AlGaN-based quantum wells on face-to-face annealed sputter-deposited AlN templates. Applied Physics Express. 2021. 14. 12. 122004-122004

MISC (91件)：

室谷英彰, 山田陽一, 平山秀樹. 深紫外発光AlGaNの励起子光物性. 応用物理. 2022. 91. 7. 416-420
中生拓希, 姫野邦夫, 武田椋平, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, KHAN M. Ajmal, 前田哲利, 定昌史, 平山秀樹, et al. 深紫外発光AlGaN量子井戸構造における強励起側の発光効率曲線解析. 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集. 2021. 2021
押村遼太, 稲井滉介, 草場崇史, 藤井厚志, 倉井聡, 岡田成仁, 室谷英彰, 上杉謙次郎, 三宅秀人, 山田陽一. 異なるAlNテンプレート上AlGaN量子井戸構造の内部量子効率. 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集. 2021. 2021
牛見友祐, 永安悠人, 久保僚太朗, 室谷英彰. AlGaN系量子井戸構造における励起子の安定性解析. 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集. 2021. 2021
久保僚太朗, 永安悠人, 牛見友祐, 室谷英彰, 山田陽一. InGaN系量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる内部量子効率の解析. 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集. 2021. 2021

書籍 (3件)：

応用電気回路ノート
電気書院 2021 ISBN:9784485301135
エネルギー管理士電気分野模擬問題集
電気書院 2016 ISBN:9784485212158
ZnO Nanocrystals and Allied Materials (Springer Series in Materials Science, 180)
Springer 2013 ISBN:8132211596

講演・口頭発表等 (137件)：

深紫外発光AlGaN量子井戸構造の励起子光物性
(応用物理学会応用電子物性分科会研究会「窒化物半導体発光デバイスの最前線」 2024)
220 nm発光帯AlGaN量子井戸構造における偏光特性の温度依存性
(第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
Photoluminescence excitation spectroscopy of stimulated emission from AlGaN-based UV-C multiple quantum wells
(The 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023)
Temperature dependence of efficiency curves in AlGaN-based MQWs with emission wavelengths from 220 to 260 nm
(The 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023)
220~260 nm発光帯AlGaN量子井戸構造における効率曲線の温度依存性
(第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)

学歴 (3件)：

学位 (2件)：

経歴 (8件)：

全件表示

受賞 (3件)：

所属学会 (2件)：

電子情報通信学会 , 応用物理学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

室谷 英彰