研究者
J-GLOBAL ID：201201069636604600   更新日: 2023年12月13日

西谷 智博

Nishitani Tomohiro
研究分野 (1件)： 素粒子、原子核、宇宙線、宇宙物理にする実験
研究キーワード (3件)： 電子源 ,  半導体フォトカソード ,  電子ビーム
競争的資金等の研究課題 (6件)：
  • 2019 - 2022 実環境下の損傷敏感試料に微細領域の動態観測技術をもたらす半導体電子ビーム源
  • 2014 - 2017 高速1ショット観測を実現するフォトカソード電子源の開発
  • 2011 - 2011 量子効果を利用した高耐久半導体電子源による高輝度電子ビームの実現
  • 2009 - 2011 革新的電子ビーム性能を実現する超格子フォトカソードの研究
  • 2006 - 2007 革新的高輝度の電子ビームを実現する超格子電子源の研究
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論文 (39件)：
  • Yusuke Inoue, Tomohiro Nishitani, Anna Honda, Daiki Sato, Haruka Shikano, Atsushi Koizumi, Yoshio Honda, Daisuke Ichihara, Akihiro Sasoh. Investigation on Applying an InGaN Photocathode with Negative Electron Affinity for Electric Propulsion. TRANSACTIONS OF THE JAPAN SOCIETY FOR AERONAUTICAL AND SPACE SCIENCES. 2023. 66. 1. 10-13
  • Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani. Dependence of electron emission current density on excitation power density from Cs/O-activated negative electron affinity InGaN photocathode. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. 2022. 40. 6
  • Tomohiro Nishitani, Yuta Arakawa, Shotaro Noda, Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Yoshio Honda, Hiroshi Amano. Scanning electron microscope imaging by selective e-beaming using photoelectron beams from semiconductor photocathodes. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. 2022. 40. 6
  • Daiki Sato, Haruka Shikano, Atsushi Koizumi, Tomohiro Nishitani. Time response measurement of pulsed electron beam from InGaN photocathode. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. 2022. 40. 6
  • M. Kashima, S. Ishiyama, D. Sato, A. Koizumi, H. Iijima, T. Nishitani, Y. Honda, H. Amano, T. Meguro. Adsorption structure deteriorating negative electron affinity under the H2O environment. Applied Physics Letters. 2022. 121. 18
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MISC (59件)：
  • 佐藤 大樹, 本田 杏奈, 小泉 淳, 西谷 智博, 本田 善央, 天野 浩. InGaN半導体フォトカソードにおける量子効率のInGaN膜厚依存性. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2020. 2020.1. 1516-1516
  • 森田 伊織, 石川 史太郎, 西谷 智博, 田渕 雅夫. AlGaAs系半導体材料を用いたフォトカソードのMBE成長. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2020. 2020.1. 3005-3005
  • 森田 伊織, 石川 史太郎, 西谷 智博, 田渕 雅夫. フォトカソード応用AlGaAs超格子試料のMBE成長. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2019. 2019.2. 3456-3456
  • 佐藤 大樹, 西谷 智博, 本田 善央, 天野 浩. 窒素暴露した半導体フォトカソードの加熱処理に伴う表面機能変化. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2019. 2019.1. 1474-1474
  • 佐藤 大樹, 西谷 智博, 本田 善央, 天野 浩. 大気暴露したGaN半導体フォトカソードの加熱処理に伴う表面状態の光電子分光観測. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2018. 2018.2. 1571-1571
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書籍 (1件)：
  • スピン偏極電子源に用いるGaAs-GaAsP歪み超格子フォトカソードの開発
    [出版者不明] 2004
学歴 (2件)：
  • - 2004 名古屋大学 理学研究科 素粒子・宇宙物理学
  • - 1998 東京都立大学 理学部 物理学科
学位 (1件)：
  • 博士(理学) (名古屋大学)
経歴 (6件)：
  • 2022/04 - 現在 名古屋大学 未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター 客員准教授
  • 2015/07 - 現在 Photo electron Soul Inc.
  • 2018/04 - 2022/03 名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 先端物性解析部 特任准教授
  • 2017/04/01 - 2018/03/31 名古屋大学 シンクロトロン光研究センター 光源部門 特任准教授
  • 2016/04/01 - 2017/03/31 名古屋大学 シンクロトロン光研究センター 光源部門 特任講師
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