中村俊博

ナカムラトシヒロ | Nakamura Toshihiro

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (4件)：電気電子材料工学 , 光工学、光量子科学 , 応用物性 , ナノ構造物理

研究キーワード (5件)：発光材料 , 金属ナノ構造 , 半導体レーザー , 光物性 , 半導体ナノ構造

競争的資金等の研究課題 (7件)：

全件表示

論文 (75件)：

中村俊博. シリコン量子ドット発光材料の生成プロセスの最新動向-低環境負荷照明光源への応用に向けて-. 電気学会誌. 2022. 142. 415-418
Toshihiro Nakamura, Tomoaki Nishimura, Kazuo Kuriyama, Tohru Nakamura, and Atsushi Kinomura. Gamma-ray induced photo emission from ZnO single crystal wafer: Comparison with GaN. Solid State Communications. 2021. 336. 114413
Toshihiro Nakamura, Tomoaki Nishimura, Kazuo Kuriyama, Tohru Nakamura, Atsushi Kinomura. Gamma-ray induced photo emission from GaN single crystal wafer. Applied Physics Letters. 2021. 118. 3. 032106
Nobuyoshi Koshida, Akira Kojima, Toshihiro Nakamura. Evolutionary Applications of Functional Porous Silicon. ECS Transactions. 2020. 98. 29
Toshihiro Nakamura, Nobuyoshi Koshida, Ze Yuan, Jun Otsubo. High-yield green fabrication of colloidal silicon quantum dots by low-temperature thermal cracking of porous silicon. APL Materials. 2020. 8. 081105

書籍 (1件)：

High-Energy Chemistry and Processing in Liquids
Springer 2022 ISBN:9789811677984

講演・口頭発表等 (23件)：

多孔質Siの破砕により作製したナノ結晶Siコロイド粒子の発光特性と表面状態の影響
(レーザー学会学術講演会第40回年次大会 2020)
高強度レーザー照射により酸化亜鉛マイクロ粒子表面に形成したナノ構造からのランダムレーザー発振
(レーザー学会学術講演会第40回年次大会 2020)
Eu 賦活ストロンチウムアルミネート赤色蛍光体の発光特性
(第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019)
多孔質シリコンの液中レーザー照射による蛍光ナノ粒子の高収率生成
(レーザー学会学術講演会第39回年次大会 2019)
酸化物半導体のマイクロ・ナノ構造を用いたランダムレーザーの開発
(バルクセラミックスの信頼性に関するワークショップ 2018)

学歴 (3件)：

学位 (2件)：

経歴 (5件)：

所属学会 (2件)：

レーザー学会 , 応用物理学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

中村 俊博