研究者
J-GLOBAL ID：201801001581290157
更新日: 2024年09月03日
佐藤 伸吾
サトウ シンゴ | Sato Shingo
所属機関・部署：
職名：
准教授
競争的資金等の研究課題 (3件)：
- 2021 - 2024 積層半導体基板におけるキャリア輸送特性の高精度抽出法に関する研究
- 2019 - 2020 積層半導体基板向け電気物性値抽出手法の開発
- 2018 - 2020 半導体製造における配線劣化現象解明の研究
論文 (49件)：
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Detailed analysis of the capacitance characteristic measured using the pseudo-metal-oxide-semiconductor method. Solid-State Electronics. 2024. 217. 108950-108950
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S. Kanai, T. Nishikawa, S. Sato. The spds*p*+Δ tight binding model for 3C-SiC. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 4. 040907-040907
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Y. Yuan, S. Sato. Detailed analysis of electrical components on a layered wafer via the AC pseudo-MOS method. Solid State Electronics. 2023. Volume 210, December 2023, 108811
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Y. Omura, T. Yamamura, S. Sato. Impact of Band Structure on Phonon-Limited Electron Mobility Behavior of Germanium-on-Insulator Layer with (001) and (111) Surfaces. Jordan Journal of Electrical Engineering,. 2021. vol. 7, no. 3, p.203-230,
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MORI, Daigo, NAKATA, Iori, MATSUDA, Masayoshi, SATO, Shingo. Detailing Influence of Contact Condition and Island Edge on Dual-Configuration Kelvin Pseudo-MOSFET Method. IEEE Transactions on Electron Devices. 2021. vol. 68, No. 6, pp.2906-2911
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MISC (1件)：
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河本 章宏, 佐藤 伸吾, 大村 泰久. 極微細SOI MOSFETにおけるソース・ドレイン設計法の検討. 電子情報通信学会技術研究報告. VLD, VLSI設計技術. 2002. 102. 344. 13-18
講演・口頭発表等 (68件)：
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Influence of Electrode Materials and their Deposition Method on Switching Characteristics of ReRAM Devices
(2023)
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The spds*p*+Δ tight binding model for 3C-SiC
(2023)
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Detailed analysis of electrical components on a layered wafer with an ac pseudo-MOS method,
(2023)
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Detailed analysis of electrical components on SOI wafer with an ac pseudo-MOS method,
(2022)
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The impact of Carrier Lifetime on the Electrical Characteristics of Z2-FET
(2022)
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学位 (1件)：
所属学会 (2件)：
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