研究者
J-GLOBAL ID：201801005097479380   更新日: 2024年04月15日

梅沢 仁

UMEZAWA Hitoshi
所属機関・部署：
国立研究開発法人産業技術総合研究所

国立研究開発法人産業技術総合研究所 について


ホームページURL (1件)： http://www.researcherid.com/rid/C-9629-2011
研究分野 (1件)： 電子デバイス、電子機器
競争的資金等の研究課題 (7件)：
  • 2014 - 2019 ダイヤモンド量子センシング
  • 2013 - 2016 低欠陥ダイヤモンドウェハ
  • 2012 - 2016 高品質半導体ダイヤモンドを用いた高温動作パワースイッチングデバイスの研究
  • 2005 - 2008 半導体ダイヤモンドを用いた超高出力RF増幅およびスウィッチングデバイスの開発
  • 2003 - 2005 ダイヤモンド薄膜表面の導電性制御によるハイパワー高周波トランジスタの開発
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論文 (194件)：
  • Takehiro Shimaoka, Junichi H. Kaneko, Yasunobu Arikawa, Mitsutaka Isobe,Masakatsu Tsubota, Kengo Oda, Mitsuo Nakai, Hiroyuki Shiraga,Hiroshi Azechi, Akiyoshi Chayahara, Hitoshi Umezawa, Shinichi Shikata. Measurement of Neutrons Produced by Inertial Fusion with a Diamond Radiation Detector. Sensors and Materials. 2024. 36. 1. 217-217
  • Phongsaphak Sittimart, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hiromitsu Kato, Kotaro Ishiji, Tsuyoshi Yoshitake. Thermally Stable and Radiation-Proof Visible-Light Photodetectors Made from N-Doped Diamond. Advanced Optical Materials. 2023. 11. 12
  • Takashi Matsumae, Hitoshi Umezawa, Yuichi Kurashima, Hideki Takagi. (Invited, Digital Presentation) Low-Temperature Direct Bonding of Wide-Bandgap Semiconductor Substrates. ECS Transactions. 2023
  • Tadashi Masumura, Hitoshi Umezawa, Takahiro Yamaguchi, Yusei Deguchi, Hiroyuki Kawashima, Toshiharu Makino, Naohisa Hoshikawa, Hitoshi Koizumi, Junichi H. Kaneko. Irradiation effects of X-rays up to 3 MGy on hydrogen-terminated diamond MOSFETs. Diamond and Related Materials. 2023. 135. 109825-109825
  • Takehiro Shimaoka, Hitoshi Umezawa, Gwenole Jacopin, Satoshi Koizumi, Takeshi Fujiwara, Julien Pernot. Temperature dependence of betavoltaic cell performance of diamond pn junction diode. IEEE Electron Device Letters. 2023. 1-1
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MISC (159件)：
  • 松前貴司, 倉島優一, 高木秀樹, 梅沢仁, 渡邊幸志, 伊藤利充, 日暮栄治. ダイヤモンドとの直接接合を用いたGa2O3超ワイドギャップ基板の高放熱化. エレクトロニクス実装学会講演大会講演論文集(CD-ROM). 2022. 36th
  • 松前貴司, 倉島優一, 高木秀樹, 梅沢仁, 日暮栄治. 半導体基板/ダイヤモンド放熱基板の官能基反応による直接接合形成. 電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM). 2022. 2022
  • 上東洋太, 大曲新矢, 梅沢仁, 山田英明, LIANG Jianbo, 重川直輝. n+-Si/p-ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの作製と電気特性評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • 上東洋太, 大曲新矢, 梅沢仁, 山田英明, LIANG Jianbo, 重川直輝. Si/ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの耐熱性評価. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
  • 上東洋太, 大曲新矢, 梅沢仁, 山田英明, LIANG Jianbo, 重川直輝. 表面活性化接合法によるダイヤモンド/Siヘテロ接合ダイオードの作製. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
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書籍 (1件)：
  • Power electronics device applications of diamond semiconductors
    Woodhead Publishing 2018 ISBN:9780081021835
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