小田将人

オダマサト | Oda Masato

ホームページURL (1件)： http://www.wakayama-u.ac.jp/~moda/

研究キーワード (1件)：第一原理計算

競争的資金等の研究課題 (6件)：

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論文 (25件)：

小田将人, 古木凌太, 篠塚雄三. (ZnO)1-x(InN)x混晶半導体の初期成長過程と電子状態. 日本結晶成長学会誌. 2023. 50. 1. 50-1-06_1-50-1-06_11
Masato Oda, Noritake Koike. Electronic Structures of Iodine-Doped Lithium Phthalocyanine Crystals. physica status solidi (b). 2023. 260. 5
Nao Kadowaki, Masato Oda, Jun Nara. Theoretical study on adsorption state of chemisorbed oxygen molecule on partially oxidized Si(001) surface. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. 12. 125501-125501
Nobuyuki Ohtsuka, Masato Oda, Takashi Eshita, Ichiro Tanaka, Chihiro Itoh. Investigation of GaAs and AlAs atomic-layer epitaxial growth mechanism based on experimental results and first-principles total energy calculation. Jpn. J. Appl. Phys. 2020. 59. SGGK16
Ryota Furuki, Masato Oda, Yuzo Shinozuka. Study on the initial growth mechanism of (ZnO)1-x(InN)x using first-principles calculation. Jpn. J. Appl. Phys. 2020. 59. SGGK11

MISC (15件)：

Nobuyuki Ohtsuka, Masato Oda, Takashi Eshita, Ichiro Tanaka, Chihiro Itoh. Novel approach for Growth Mechanism of Atomic Layer Epitaxy of GaAs and AlAs. 2019. F-5-03
境新, 小田将人, 伊東千尋, 篠塚雄三. フェロセン内包CNTの電子状態計算. 日本物理学会講演概要集(CD-ROM). 2018. 73. 1
水越隆大, 小田将人, 篠塚雄三. 27pAP-1 Ge(100)表面における初期酸化の過程の第一原理計算(27pAP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2014. 69. 1. 870-870
南迫大樹, 小田将人, 篠塚雄三. 26pPSB-43 第一原理計算を用いたSi(111)7×7表面におけるDAT分子の吸着状態解析(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2012. 67. 1. 966-966
小田将人, 西村高志, 笹原亮, 村田英幸, 新井豊子, 富取正彦. 24pCC-3 Si(001)に吸着したDATのSTM像探針バイアス依存性(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2012. 67. 0. 936-936

書籍 (1件)：

講演・口頭発表等 (66件)：

セラソーム表面電子状態に対する多角形構造の影響
(第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
溶融塩処理による風化黒雲母からの熱電変換材料創製
(第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
セラソームの表面電子状態の表面構造依存性
(第44回日本バイオマテリアル学会 2022)
福島風化黒雲母を対象とした熱伝導特性の温度依存性
(第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022)
DNA上における蛍光分子とバルジ構造の相互作用
(日本物理学会2022年秋季大会 2022)

学歴 (2件)：

経歴 (9件)：

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受賞 (1件)：

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