黒木伸一郎

クロキシンイチロウ | KUROKI SHIN-ICHIRO

所属機関・部署：

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

研究キーワード (1件)：シリコンカーバイド集積回路・デバイス/ シリコンカーバイド・パワー半導体デバイス・モジュール/ シリコン薄膜トランジスタ/ ネフロンチップ/ 極限環境エレクトロニクス

競争的資金等の研究課題 (14件)：

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論文 (182件)：

Aprilia, Lia, Meguro, Tatsuya, Nuryadi, Ratno, Tabei, Tetsuo, Mimura, Hidenori, Kuroki, Shin-Ichiro. Integrated Fabrication Process of Si Microcantilever Using TMAH Solution With Planar Mask. JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS. 2023. 32. 3. 290-296
Yamamoto, Ayumu, Kaga, Yuta, Aso, Tomohiro, Kuroki, Shin-Ichiro, Momose, Hideya, Johguchi, Koh. Flexible and compact perspiration-monitoring system with 0.18 mu m BCD process and PDMS micro air-flow path. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2023. 62. SC
Thi Thuy Nguyen, Tatsuaki Hirata and Shin-Ichiro Kuroki. Nanowire single-crystal grain and single grain boundary silicon field effect transistors for direct electrical characterization of grain boundaries. Applied Physics Express. 2023. 16. 025502-1-025502-4
Masayuki Tsutsumi, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki. Integrated 4H-SiC Photosensors With Active Pixel Sensor-Type Circuits for MGy-Class Radiation Hardened CMOS UV Image Sensor. IEEE Electron Device Letters. 2022. 44. 1. 100-103
Meguro, Tatsuya, Takeyama, Akinori, Ohshima, Takeshi, Tanaka, Yasunori, Kuroki, Shin-Ichiro. Hybrid Pixels With Si Photodiode and 4H-SiC MOSFETs Using Direct Heterogeneous Bonding Toward Radiation Hardened CMOS Image Sensors. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2022. 43. 10. 1713-1716

講演・口頭発表等 (44件)：

500°C High-Temperature Characteristics of TiN-gate SiC n/p MOSFETs
(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023) 2023)
Gamma-ray irradiation effects on 4H-SiC n/p MOSFETs with POA treatment
(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023) 2023)
Radiation Dose Response of 4H-SiC UV Sensorfor MGy-Class Radiation Hardened CMOS UV Imager
(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023) 2023)
Extremely Temperature Characterization of Interface and Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitor with Full-Distributed Circuit Model
(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023) 2023)
SiC Sample-and-Hold Circuit for SiC CMOS Image Sensors
(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023) 2023)

学歴 (1件)：

学位 (2件)：

経歴 (11件)：

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委員歴 (54件)：

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受賞 (4件)：

2023/12/13 - SEMIジャパン Semicon Japan アカデミアAward 最優秀賞
2018/10/01 - 公益社団法人応用物理学会会長第79回応用物理学会秋季学術講演会Poster Award
2013/03/06 - 一般財団法人丸文財団丸文財団交流研究助成シリコンカーバイド半導体による放射線耐性に優れたCMOS集積回路の研究
2012/07/04 - AM-FPD Organizing Committee Chair(AM-FPD組織委員会委員長),AM-FPD Award Committee Chair(AM-FPD Award委員会委員長) AM-FPD '11 Poster Award

所属学会 (3件)：

米国電気化学会 , IEEE米国電気電子学会 , 応用物理学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

黒木 伸一郎