鷺坂恵介

sagisaka Keisuke

所属機関・部署：

研究分野 (1件)：薄膜、表面界面物性

競争的資金等の研究課題 (5件)：

論文 (61件)：

安井勇気, 松永克志, 鷺坂恵介, 杉本宜昭. 原子間力顕微鏡によるNb(110)の酸化表面構造解析. 表面と真空. 2024. 67. 8. 276-380
Yuuki Yasui, Katsuyuki Matsunaga, Keisuke Sagisaka, Yoshiaki Sugimoto. Element-selective structural visualization for the oxygen-induced surface of Nb(110). Physical Review B. 2024. 109. 19
Shunsuke Yoshizawa, Keisuke Sagisaka, Hideaki Sakata. Visualization of Alternating Triangular Domains of Charge Density Waves in 2H-NbSe2 by Scanning Tunneling Microscopy. Physical Review Letters. 2024. 132. 5
Yuya Hattori, Keisuke Sagisaka, Shunsuke Yoshizawa, Yuki Tokumoto, Keiichi Edagawa. Topological surface states hybridized with bulk states of Bi-doped PbSb2Te4 revealed in quasiparticle interference. Physical Review B. 2023. 108. 12
Yuya Hattori, Shunsuke Yoshizawa, Keisuke Sagisaka, Yuki Tokumoto, Keiichi Edagawa, Takako Konoike, Shinya Uji, Taichi Terashima. Experimental verification of band convergence in Sr and Na codoped PbTe. Physical Review B. 2023. 108. 12

MISC (7件)：

鷺坂恵介, マルツミハエル, 藤田大介, ボウラーデビッド. 26pPSB-31 Si(100)表面におけるリン分子の吸着構造(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2012. 67. 1. 963-963
藤田大介, 大西桂子, 熊倉つや子, 鷺坂恵介. 27aXD-12 表面析出法により成長したグラファイト基底面上におけるカーボンナノワイヤとカーボンナノベルトの発見(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2005. 60. 1. 882-882
鷺坂恵介, 藤田大介. 26pXC-3 Si(100)再構成表面の電子状態とSTMイメージング(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2005. 60. 1. 869-869
鷺坂恵介, 藤田大介, 小口信行. 28pWP-11 走査トンネル顕微鏡によるSi(100)表面の構造操作(表面界面構造(半導体))(領域9). 日本物理学会講演概要集. 2004. 59. 1. 915-915
鷺坂恵介, 藤田大介. 基底状熊におけるSi(100)表面の最安定構造. まてりあ : 日本金属学会会報. 2003. 42. 10. 740-740

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