- 2024/05 - 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 研究奨励賞 データ駆動イジング模型による半導体表面再構成の研究
- 2021/10 - 日本結晶成長学会 第19回奨励賞 非平衡量子熱力学によるGaN気相成長プロセスの解明
- 2021/01 - International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs 2021) Outstanding Poster Award Theoretical study of the effects of H2 and NH3 on the TMG decomposition process in GaN crystal growth
- 2020/02 - 第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会 服部賞 GaN薄膜におけるらせん転位およびMg不純物と電子物性の相関:第一原理計算に基づく理論解析
- 2019/11 - 第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演奨励賞 らせん転位およびMg不純物を含むGaNの電子構造解析
- 2019/05 - Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019) CSW Best Student Paper Award Electronic structure analysis of core structures of threading dislocations in GaN
- 2018/04 - 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '18) Student's Paper Award (Yamaguchi Masahito Award) Formation Mechanism of Singular Structure in AlInN Layer Grown on M-GaN Substrate by MOVPE
- 2017/12 - 第46回結晶成長国内会議 学生ポスター賞 GaN(0001)におけるNH3吸着過程の非平衡量子熱力学モデリング:付着係数の理論解析
- 2017/10 - International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017) Outstanding Presentation Award Thermodynamic Modeling of GaN MOVPE: Contribution of Surface State
- 2016/03 - 九州大学 学生表彰 (学術研究活動表彰)
- 2015/11 - 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6) Young Scientist Award Ab initio-based approach to surface reconstruction on InN(0001) during induced-pressure MOVPE
- 2015/09 - 5th European Conference on Crystal Growth (ECCG-5) Poster Prize of Italian Association of Crystallography Relationship between stability of facet surfaces and incorporation of zinc-blende phase in InN during pressurized reactor MOVPE: A theoretical approach
- 2015/05 - 第7回窒化物半導体結晶成長講演会 発表奨励賞 InN加圧MOVPE成長における成長形と異相混入:表面エネルギーの理論解析
- 2014/03 - 日本航空宇宙学会西部支部 優秀学生賞
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