田中一

タナカハジメ | Tanaka Hajime

所属機関・部署：
職名：助教

研究分野 (1件)：電気電子材料工学

研究キーワード (3件)：シミュレーション , キャリア輸送 , 半導体

競争的資金等の研究課題 (8件)：

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論文 (43件)：

Koji Ito, Hajime Tanaka, Masahiro Horita, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto. Free electron mobility limited by fixed charges and trapped electrons in 4H-SiC(11-20) and (1-100) MOSFETs annealed in NO. Japanese Journal of Applied Physics. 2025. 64. 1. 010902-010902
Sachika Nagamizo, Hajime Tanaka, Nobuya Mori. Impact of interface structure on electronic states in 4H-SiC inversion layer. Japanese Journal of Applied Physics. 2025. 64. 1
Koji Ito, Hajime Tanaka, Masahiro Horita, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto. Influence of fixed charges and trapped electrons on free electron mobility at 4H-SiC(0001)/SiO₂ interfaces with gate oxides annealed in NO or POCl₃. Applied Physics Express. 2024. 17. 8. 081003-081003
Seyed Ali Mojtahedzadeh, Hajime Tanaka, Nobuya Mori. Carrier transport simulations in twisted bilayer and turbostratic multilayer graphene systems. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 5. 05SP09-05SP09
Hajime Tanaka, Tsunenobu Kimoto, Nobuya Mori. Theoretical study on high-field carrier transport and impact ionization coefficients in 4H-SiC. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024. 173. 108126-108126

MISC (8件)：

岡田丈, 田中一, 森伸也. 半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱で決まる平均自由行程の量子論に基づく数値解析手法. 電子情報通信学会技術研究報告. 2024. 124. 145. 21-24
岡田丈, 田中一, 森伸也. 半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱の量子論に基づく数値解析. 電子情報通信学会技術研究報告. 2023. 123. 250. 10-15
田中一. SISPAD 2023 レビュー. 電子情報通信学会技術研究報告. 2023. 123. 250. 1-6
森伸也, 橋本風渡, 三島嵩也, 田中一. ファンデルワールスヘテロ構造におけるバンド間トンネルのNEGFシミュレーション. 電子情報通信学会技術研究報告. 2020. 120. 239. 52-57
田中一, 森伸也. 4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告. 2018. 118. 291. 35-40

講演・口頭発表等 (127件)：

4H-SiCにおける電子の高電界ドリフト速度の異方性
(先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024)
Modeling and simulation of quantum transport properties of semiconductor nanosheets
(2024 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC) 2024)
Tunneling Phenomena and Ohmic Contact Formation at Non-Alloyed Metal/Heavily-Doped SiC Interfaces
(PRiME 2024 2024)
Monte Carlo analyses on impact ionization coefficients in 4H-SiC
(2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024) 2024)
半導体ナノシートにおける電子移動度の結晶方位依存性のモンテカルロシミュレーション
(第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)

学歴 (2件)：

学位 (1件)：

経歴 (5件)：

委員歴 (7件)：

2022/08 - 現在 Asia-Pacific Workshop on Advanced Semiconductor Devices (AWAD) Program Committee Member
2021/06 - 現在電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会専門委員
2023/12 - 2024/11 2024 International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM2024) Steering Committee Member
2023/12 - 2024/09 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 2024 Program Committee Member
2021/07 - 2023/10 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 2023 Program Vice Chair

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受賞 (6件)：

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