研究者
J-GLOBAL ID:201901013678757314   更新日: 2024年02月01日

劉 江偉

Liu Jiangwei | Liu Jiangwei
所属機関・部署:
職名: 主幹研究員
研究分野 (3件): 電気電子材料工学 ,  薄膜、表面界面物性 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (1件): ダイヤモンド、応用物理、電子デバイス
競争的資金等の研究課題 (5件):
  • 2023 - 2026 Improving the output current of boron-doped diamond MOSFETs
  • 2020 - 2024 異種接合ドーピング法に基づくダイヤモンドのキャリア制御法構築
  • 2016 - 2021 III族窒化物ナノラミネート特異構造を用いたダイヤモンド電子デバイスの開発
  • 2018 - 2020 Thermal stability improvement of diamond logic circuits for high-temperature application
  • 2016 - 2018 Fabrication of high current output fin-type diamond field-effect transistors
論文 (72件):
  • Bo Da, Long Cheng, Xun Liu, Kunji Shigeto, Kazuhito Tsukagoshi, Toshihide Nabatame, Zejun Ding, Yang Sun, Jin Hu, Jiangwei Liu, et al. Cylindrically symmetric rotating crystals observed in crystallization process of InSiO film. Science and Technology of Advanced Materials: Methods. 2023. 3. 1
  • Jiangwei Liu, Masayuki Okamura, Hisanori Mashiko, Masataka Imura, Meiyong Liao, Ryosuke Kikuchi, Michio Suzuka, Yasuo Koide. Experimental Formation and Mechanism Study for Super-High Dielectric Constant AlOx/TiOy Nanolaminates. Nanomaterials. 2023. 13. 7
  • Bo He, Gang He, Shanshan Jiang, Jiangwei Liu, Elvira Fortunato, Rodrigo Martins. Electrospun Stacked Dual-Channel Transistors with High Electron Mobility Using a Planar Heterojunction Architecture. Advanced Electronic Materials. 2023. 9. 2
  • Jiangwei Liu, Tokuyuki Teraji, Bo Da, Yasuo Koide. Electrical Properties of Boron-Doped Diamond MOSFETs With Ozone as Oxygen Precursor for Al2O3 Deposition. IEEE Transactions on Electron Devices. 2023
  • B. Da, X. Liu, J. M. Gong, Z. H. Zhang, Z. J. Ding, N. T. Cuong, J. Hu, J. W. Liu, Z. S. Gao, H. X. Guo, et al. Emitted secondary Electrons: In vacuo plasmon energy gain observation using a Three-Point probe method. Applied Surface Science. 2022. 596
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MISC (3件):
  • Z. J. Ding, Chao Li, Bo Da, Jiangwei Liu. Charging effect induced by electron beam irradiation: a review. Science and Technology of Advanced Materials. 2021. 22. 1. 932-971
  • Xiao lu Yuan, Yu ting Zheng, Xiao hua Zhu, Jin long Liu, Jiang wei Liu, Cheng ming Li, Peng Jin, Zhan guo Wang. Recent progress in diamond-based MOSFETs. International Journal of Minerals, Metallurgy and Materials. 2019. 26. 10. 1195-1205
  • Jiangwei Liu, Yasuo Koide. An overview of high-k oxides on hydrogenated-diamond for metal-oxide-semiconductor capacitors and field-effect transistors. Sensors (Switzerland). 2018. 18. 6
特許 (3件):
  • ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法
  • トリプルゲートH-ダイヤモンドMISFET及びその製造方法 (2017)
  • ダイヤモンド半導体装置、それを用いたロジック装置、及びダイヤモンド半導体装置の製造方法
学歴 (1件):
  • 2008 - 2012 東京大学 工学部研究科 博士(工学) 学位取得
経歴 (6件):
  • 2023/04 - 現在 国立研究開発法人物質・材料研究機構 電子・光機能材料研究センター 主幹研究員
  • 2018/04 - 2023/03 国立研究開発法人物質・材料研究機構 機能性材料研究拠点 主任研究員
  • 2016/10 - 2022/03 国立研究開発法人物質・材料研究機構 機能性材料研究拠点 独立研究者
  • 2014/01 - 2016/09 国立研究開発法人物質・材料研究機構 若手国際研究センター ICYS研究員
  • 2012/06 - 2013/12 国立研究開発法人物質・材料研究機構 機能性材料研究拠点 ワイドギャップ半導体グループ ポスドク研究員
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受賞 (2件):
  • 2016/10 - 文部科学省 卓越研究員
  • 2013/07 - Best Poster Award of the NIMS Conference 2013
所属学会 (1件):
応用物理学会
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