研究者
J-GLOBAL ID：202001000315272552   更新日: 2024年07月16日

平井 悠久

Hirai Hirohisa
競争的資金等の研究課題 (3件)：
  • 2022 - 2025 超低抵抗GaNパワーデバイスを目指した微傾斜結晶面トレンチMOSチャネルの開発
  • 2021 - 2024 SiC-MOS界面特有の散乱体の起源検証とその抑制によるチャネル抵抗低減
  • 2015 - 2018 4H-SiC熱酸化界面構造の理解に基づくMOSFET高性能化のための材料設計
論文 (24件)：
  • Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada. 3D Van der Pauw Device for MOS Channel Characterization on 4H-SiC Trench Sidewalls. IEEE Electron Device Letters. 2024
  • Mitsuru Sometani, Yusuke Nishiya, Ren Kondo, Rei Inohana, Hongyu Zeng, Hirohisa Hirai, Dai Okamoto, Yu-ichiro Matsushita, Takahide Umeda. Energy levels of carbon dangling-bond center (PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface. APL Materials. 2023
  • Tetsuo Hatakeyama, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada. Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs. Journal of Applied Physics. 2022. 131. 14. 145701-145701
  • Hirohisa Hirai, Yoshinao Miura, Akira Nakajima, Shinsuke Harada, Hiroshi Yamaguchi. Crystal-orientation-dependent flatband voltage of non-polar GaN MOS interfaces investigated using trench sidewall capacitors. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2021. 119. 7
  • Hiroki Sakata, Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Hirohisa Hirai, Shinsuke Harada, Tetsuo Hatakeyama, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro. Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. 6. 060901-060901
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MISC (5件)：
  • 平井悠久, 三浦喜直, 中島昭, 原田信介, 山口浩. TMAH処理を施したGaN UMOSにおけるチャネル特性の面方位依存性. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • Miura Yoshinao, Hirai Hirohisa, Nakajima Akira, Harada Shinsuke. p型層へのほう素注入を用いた伝導率制御による垂直GaNパワーデバイスのための新しいJTE技術【JST・京大機械翻訳】. IEEE Conference Proceedings. 2021. 2021. ISPSD
  • Hirohisa Hirai, Koji Kita. Effects of high-temperature diluted-H-2 annealing on effective mobility of 4H-SiC MOSFETs with thermally-grown SiO2 (Retraction of Vol 55, 10.7567/JJAP.55.04ER16, 2016). JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2017. 56. 7
  • 平井 悠久, 喜多 浩之. 4H-SiCにおける熱酸化界面構造の酸化雰囲気による相違 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2014. 114. 88. 97-100
  • 喜多 浩之, 平井 悠久. FTIR-ATRスペクトルによる4H-SiCと熱酸化膜の界面構造の解析 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2013. 113. 87. 97-100
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