研究者
J-GLOBAL ID：202001011684512763   更新日: 2023年11月20日

惠下 隆

エシタ タカシ | Eshita Takashi
所属機関・部署：
富士通セミコンダクターメモリソーリューション株式会社 デバイス技術統括部

富士通セミコンダクターメモリソーリューション株式会社 デバイス技術統括部 について


職名： シニアアドバイザー
研究分野 (3件)： その他 ,  電子デバイス、電子機器 ,  無機材料、物性
研究キーワード (5件)： 知的財産権教育 ,  物性物理学 ,  強誘電体 ,  強誘電体メモリ ,  半導体工学
競争的資金等の研究課題 (2件)：
  • 2011 - 強誘電体メモリ(FRAM)の製造
  • 2000 - 2001 次世代強誘電体メモリの研究開発
論文 (44件)：
  • Wensheng Wang, Kazuaki Takai, Ko Nakamura, Mitsuaki Oikawa, Soichiro Ozawa, Kouichi Nagai, Satoru Mihara, Yukinobu Hikosaka, Hitoshi Saito, Manabu Kojima, et al. A new electrode structure of IrOx/Bi-doped SrRuO3 for highly reliable La-doped Pb (Zr, Ti)O3-based ferroelectric memories. 2023 22nd International Symposium INFOTEH-JAHORINA (INFOTEH). 2023
  • Wensheng Wang, Takashi Eshita, Kazuaki Takai, Kenji Nomura, Hideshi Yamaguchi, Ko Nakamura, Soichiro Ozawa, Kouichi Nagai, Junichi Watanabe, Satoru Mihara, et al. An improvement of low temperature characteristics of an La-doped Pb(Zr,Ti)O3 capacitor. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 61. SN. SN1013-SN1013
  • Wensheng Wang, Ko Nakamura, Takashi Eshita, Kenji Nomura, Kazuaki Takai, Hideshi Yamaguchi, Satoru Mihara, Yukinobu Hikosaka, Hitoshi Saito, Manabu Kojima. Ferroelectric capacitor with an asymmetric double-layer PLZT structure for FRAM. Applied Physics Letters. 2022. 120. 10. 102901-102901
  • Nobuyuki Ohtsuka, Masato Oda, Takashi Eshita, Ichiro Tanaka, Chihiro Itoh. Investigation of GaAs and AlAs atomic-layer epitaxial growth mechanism based on experimental results and first-principles total energy calculation. Japanese Journal of Applied Physics. 2020. 59. SG. SGGK16-SGGK16
  • Kenji Nomura, Wensheng Wang, Ko Nakamura, Takashi Eshita, Kazuaki Takai, Soichiro Ozawa, Hideshi Yamaguchi, Satoru Mihara, Yukinobu Hikosaka, Hitoshi Saito, et al. Reconstruction of IrO2/(Pb, La)(Zr, Ti)O3 (PLZT) interface by optimization of postdeposition annealing and sputtering conditions. Journal of Applied Physics. 2019. 126. 7. 074105-074105
もっと見る
MISC (17件)：
  • N. Ohtsuka, M. Oda, T. Eshita, I. Tanaka, C. Itoh. Novel approach for Growth Mechanism of Atomic Layer Epitaxy of GaAs and AlAs. Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials. 2019
  • 恵下隆. 第4次産業革命 -半導体産業とオプトメカトロニクスの進展. 光技術コンタクト. 2019. 57. 1
  • 恵下隆. 「高集積強誘電体メモリFRAM の量産技術開発」で受賞した候補者を後方支援で貢献. 電気科学技術奨励賞受賞者アーカイブ・シリーズ No.4. 2018
  • 野村 健二, 王 文生, 山口 秀史, 中村 亘, 恵下 隆, 彦坂 幸信, 片岡 祐治. IoT市場向け強誘電体メモリにおけるPLZT薄膜の結晶化メカニズム. SPring-8/SACLA Information,Vol. 23 No.1. 2018
  • 齋藤 仁, 杉町 達也, 中村 亘, 小澤 聡一郎, 佐次田 直也, 三原 智, 彦坂 幸信, 王 文生, 堀 智之, 高井 一章, et al. Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 1017-Cycle Endurance. 電子情報通信学会技術研究報告. 2015. 116. 45-49
もっと見る
特許 (58件)：
  • 半導体装置の製造方法
  • 強誘電体メモリ装置
  • Memory device with two ferroelectric capacitors per one cell
  • 誘電体膜の作製方法
  • Ferroelectric memory device and its drive method
もっと見る
書籍 (3件)：
  • Ferroelectric Memory
    Elsevier Science 2023 ISBN:9780128197356
  • Advances in nonvolatile memory and storage technology
    Woodhead Publishing 2014
  • 電子情報通信学会知識ベース 10群4編 メモリLSI 第3章 FeRAM
    電子情報通信学会 2008
講演・口頭発表等 (39件)：
  • 強誘電体キャパシタの酸化アルミニウム積層保護膜によるFeRAMの高信頼化
    (第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
  • La添加Pb(Zr,Ti)O3キャパシタにおける、低温での低電圧分極反転特性の改善
    (強誘電体学会(FMA) 2022)
  • 強誘電体メモリの開発と今後の展開
    (第11回夏の学校 2020)
  • 低電圧動作FRAMにおける低リーク電流積層PbLa(Zr,Ti)O3キャパシタの開発
    (第80回秋季学術講演会 2019)
  • Novel approach for Growth Mechanism of Atomic Layer Epitaxy of GaAs and AlAs
    (International Conference on Solid State Devices and Materials 2019)
もっと見る
学歴 (3件)：
  • 1983 - 1986 名古屋大学 大学院工学研究科博士課程後期課程 結晶材料工学
  • 1981 - 1983 名古屋大学 大学院工学研究科博士課程前期課程 結晶材料工学
  • 1977 - 1981 名古屋大学 工学部 原子核工学科
学位 (1件)：
  • 工学博士 (名古屋大学)
経歴 (12件)：
  • 2023/04 - 現在 和歌山大学名誉教授
  • 2017/12 - 現在 富士通セミコンダクターメモリソリューション(株)(旧富士通セミコンダクター) デバイス技術統括部 シニアアドバイザー
  • 2019/04 - 2023/03 和歌山大学 理事・副学長, 産学連携イノベーションセンター長
  • 2017/12 - 2019/03 和歌山大学 産学連携イノベーションセンター URA/教授
  • 2016/04 - 富士通セミコンダクター (株) FRAM事業部 主席部長
全件表示
委員歴 (6件)：
  • 2017 - 現在 電気化学会 電子材料委員
  • 2020 - 2023/03 日本誘電体学会 運営委員
  • 2019/07 - 2023/03 わかやま産業振興財団 評議員
  • 2019/04 - 2023/03 和歌山県発明協会 理事
  • 2018 - 2020 応用物理学会 論文委員(6.1)
全件表示
受賞 (6件)：
  • 2015/04 - 紫綬褒章
  • 2014/11 - 材料科学振興財団 第14回山崎貞一賞 強誘電体メモリの高信頼化技術の開発と量産化
  • 2014/04 - 文部科学省 文部科学大臣表彰科学技術賞(開発部門) 高集積強誘電体メモリの量産化技術の開発
  • 2014/03 - 大河内記念会 第60回大河内記念技術賞 高集積強誘電体メモリ(FRAM)の量産技術開発
  • 2013/09 - 応用物理学会 第7回応用物理学会フェロー表彰 高集積強誘電体メモリの量産化技術の開発
全件表示
所属学会 (3件)：
日本誘電体学会 ,  IEEE ,  応用物理学会
※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

TOP

BOTTOM