高木信一

たかぎしんいち | Takagi Shinichi

所属機関・部署：
職名：教授
競争的資金等の研究課題 (14件)：

2022 - 2025 極薄膜半導体チャネルCMOSのキャリア輸送特性の解明と高移動度化手法の確立
2017 - 2022 layer transferによる高移動度材料3次元集積CMOSの精密構造制御
2016 - 2019 スティープスロープMOSトランジスタに最適なMOSゲートスタック構造に関する研究
2017 - 2018 3次元集積Ge/III-V CMOSに向けた素子技術基盤の構築
2014 - 2017 Ge-On-Insulator CMOSのキャリア輸送特性解明と性能向上手法確立

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論文 (490件)：

Tomohiro Akazawa, Stéphane Monfray, Frédéric Boeuf, Kasidit Toprasertpong, Shinichi Takagi, Mitsuru Takenaka. Si-waveguide-based optical power monitoring of a 2 × 2 Mach-Zehnder interferometer based on a InGaAsP/Si hybrid MOS optical phase shifter. Optics letters. 2024. 49. 20. 5882-5885
Zhenhong Liu, Kasidit Toprasertpong, Zuocheng Cai, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi. Role of charge injection/de-trapping in imprint behavior of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 thin film. Applied Physics Letters. 2024. 125. 7
Rui Tang, Shuhei Ohno, Ken Tanizawa, Kazuhiro Ikeda, Makoto Okano, Kasidit Toprasertpong, Shinichi Takagi, Mitsuru Takenaka. Symmetric silicon microring resonator optical crossbar array for accelerated inference and training in deep learning. Photonics Research. 2024. 12. 8. 1681-1688
Zuocheng Cai, Kasidit Toprasertpong, Zhenhong Liu, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi. Understanding HZO Thickness Scaling in Si FeFETs: Low Operating Voltage, Fast Wake-Up, and Suppressed Charge Trapping. IEEE Transactions on Electron Devices. 2024. 71. 6. 3633-3639
Kazuma Taki, Naoki Sekine, Kouhei Watanabe, Yuto Miyatake, Tomohiro Akazawa, Hiroya Sakumoto, Kasidit Toprasertpong, Shinichi Takagi, Mitsuru Takenaka. Nonvolatile optical phase shift in ferroelectric hafnium zirconium oxide. Nature communications. 2024. 15. 1. 3549-3549

MISC (29件)：

Takagi Shinichi, Kim Wu-Kang, Jo Kwang-Won, Matsumura Ryo, Takaguchi Ryotaro, Katoh Takumi, Bae Tae-Eon, Kato Kimihiko, Takenaka Mitsuru. Ultrathin-Body Ge-on-Insulator Mosfet and TFET Technologies. Meeting Abstracts. 2018. 86. 31. 1042-86
Kato Kimihiko, Matsui Hiroaki, Tabata Hitoshi, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi. Proposal and demonstration of oxide-semiconductor/(Si, SiGe, Ge) bilayer tunneling field effect transistor with type-II energy band alignment. Procedding of the 2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). 2018. 15.6.1-15.6.4
高木信一, 玉虓, 張睿, 柯夢南, 竹中充. 極低電力LSIのための先端Ge MOSデバイス技術. 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 = Proceedings of Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology. 2016. 80. 53-56
高木信一, 野口宗隆, 竹中充. CI-4-3 Zn拡散ソースを用いたプレーナ型InGaAsトンネルFET(CI-4.低消費電力スティープスロープFET技術の現状と展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画). 電子情報通信学会総合大会講演論文集. 2015. 2015. 2. "SS-92"-"SS-93"
金閔洙, 若林勇希, 中根了昌, 横山正史, 竹中充, 高木信一. 招待講演ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果 (シリコン材料・デバイス) -- (先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2015. 114. 421. 9-12

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