高木信一

たかぎしんいち | Takagi Shinichi

所属機関・部署：
職名：教授
競争的資金等の研究課題 (14件)：

2022 - 2025 極薄膜半導体チャネルCMOSのキャリア輸送特性の解明と高移動度化手法の確立
2017 - 2022 layer transferによる高移動度材料3次元集積CMOSの精密構造制御
2016 - 2019 スティープスロープMOSトランジスタに最適なMOSゲートスタック構造に関する研究
2017 - 2018 3次元集積Ge/III-V CMOSに向けた素子技術基盤の構築
2014 - 2017 Ge-On-Insulator CMOSのキャリア輸送特性解明と性能向上手法確立

全件表示

論文 (419件)：

Kenshin Yamauchi, Ayumu Yamada, Naoko Misawa, Seong-Kun Cho, Kasidit Toprasertpong, Shinichi Takagi, Chihiro Matsui, Ken Takeuchi. Co-design of SLC/MLC FeFET-based highly error-tolerant low-power CiM and strong lottery ticket hypothesis-based algorithm. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 4. 04SP06-04SP06
Chihiro Matsui, Kasidit Toprasertpong, Shinichi Takagi, Ken Takeuchi. FeFET Local Multiply and Global Accumulate Voltage-Sensing Computation-In-Memory Circuit Design for Neuromorphic Computing. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems. 2024. 32. 3. 468-479
Rui Tang, Kouhei Watanabe, Masahiro Fujita, Hanzhi Tang, Tomohiro Akazawa, Kasidit Toprasertpong, Shinichi Takagi, Mitsuru Takenaka. Non-Volatile Hybrid Optical Phase Shifter Driven by a Ferroelectric Transistor. Laser & Photonics Reviews. 2023. 17. 11
Yuiha Maeda, Ryo Yokogawa, Sho Sugawa, Chia-Tsong Chen, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, Atsushi Ogura. Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Extremely-Thin Body (100) Silicon-Germanium-on-Insulator p-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor by Oil-Immersion Raman Spectroscopy. ECS Transactions. 2023. 112. 1. 37-43
Kasidit Toprasertpong, Chihiro Matsui, Mitsuru Takenaka, Ken Takeuchi, Shinichi Takagi. Ferroelectric source follower for voltage-sensing nonvolatile memory and computing-in-memory. Journal of Physics D: Applied Physics. 2023. 56. 46. 465103-465103

MISC (29件)：

Takagi Shinichi, Kim Wu-Kang, Jo Kwang-Won, Matsumura Ryo, Takaguchi Ryotaro, Katoh Takumi, Bae Tae-Eon, Kato Kimihiko, Takenaka Mitsuru. Ultrathin-Body Ge-on-Insulator Mosfet and TFET Technologies. Meeting Abstracts. 2018. 86. 31. 1042-86
Kato Kimihiko, Matsui Hiroaki, Tabata Hitoshi, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi. Proposal and demonstration of oxide-semiconductor/(Si, SiGe, Ge) bilayer tunneling field effect transistor with type-II energy band alignment. Procedding of the 2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). 2018. 15.6.1-15.6.4
高木信一, 玉虓, 張睿, 柯夢南, 竹中充. 極低電力LSIのための先端Ge MOSデバイス技術. 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 = Proceedings of Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology. 2016. 80. 53-56
高木信一, 野口宗隆, 竹中充. CI-4-3 Zn拡散ソースを用いたプレーナ型InGaAsトンネルFET(CI-4.低消費電力スティープスロープFET技術の現状と展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画). 電子情報通信学会総合大会講演論文集. 2015. 2015. 2. "SS-92"-"SS-93"
金閔洙, 若林勇希, 中根了昌, 横山正史, 竹中充, 高木信一. 招待講演ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果 (シリコン材料・デバイス) -- (先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2015. 114. 421. 9-12

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

高木 信一

高木信一