研究者
J-GLOBAL ID：202001019288192838   更新日: 2024年11月21日

茂藤 健太

モトウ ケンタ | Moto Kenta
所属機関・部署：
九州大学 総合理工学研究院

九州大学 総合理工学研究院 について


職名： 日本学術振興会 特別研究員(PD)
競争的資金等の研究課題 (5件)：
  • 2023 - 2025 多結晶Geの物性評価とデバイス応用のためのpn接合形成技術の構築
  • 2020 - 2023 高移動度半導体薄膜の低温プロセス技術に基づく超高速フレキシブルCMOSの開発
  • 2021 - 2023 多結晶Ge薄膜上における金属コンタクトの低温制御
  • 2021 - 2022 フレキシブル太陽電池の実現に向けた金属/多結晶GeSn接合の低温形成技術
  • 2017 - 2020 プラスチック上における高スズ濃度ゲルマニウムスズ結晶の創成と太陽電池応用
論文 (35件)：
  • Linyu Huang, Kenta Moto, Kota Igura, Takamitsu Ishiyama, Kaoru Toko, Dong Wang, Keisuke Yamamoto. Low-temperature process design for inversion mode n-channel thin-film-transistor on polycrystalline Ge formed by solid-phase crystallization. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2. 02SP42
  • Kenta Moto, Kaoru Toko, Tomonari Takayama, Toshifumi Imajo, Takamitsu Ishiyama, and Keisuke Yamamoto. Rectifying Schottky Contact in ZrN/polycrystalline p-Ge. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2023. 11. 553-558
  • Takaya Nagano, Ryutaro Hara, Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Taizoh Sadoh. Improved carrier mobility of Sn-doped Ge thin films (≤20 nm) on insulator by interface-modulated solid-phase crystallization combined with surface passivation. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023. 165
  • Takuto Mizoguchi, Takamitsu Ishiyama, Kenta Moto, Toshifumi Imajo, Takashi Suemasu, Kaoru Toko. Solid-Phase Crystallization of GeSn Thin Films on GeO2-Coated Glass. PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS. 2022
  • Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Toshifumi Imajo, Takashi Suemasu, Hiroshi Nakashima, Kaoru Toko. Sn Concentration Effects on Polycrystalline GeSn Thin Film Transistors. IEEE Electron Device Letters. 2021. 42. 12. 1735-1738
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MISC (9件)：
  • 草野 欽太, 工藤 和樹, 塘内 功大, 坂口 大成, 茂藤 健太, 本山 慎一, 楠田 豊, 古田 真浩, 中 庸行, 沼田 朋子, et al. 非熱的エネルギーを用いた非晶質Ge/SiO2の低温固相成長 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2016. 116. 1. 31-34
  • 茂藤 健太, 崎山 晋, 酒井 崇嗣, 中嶋 一敬, 岡本 隼人, 高倉 健一郎, 角田 功. 非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼす電子線照射の影響 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2014. 114. 1. 21-25
  • 茂藤健太, 岡本隼人, 崎山晋, 原英之, 西村浩人, 高倉健一郎, 角田功. 絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の【電子線+金属触媒】誘起成長. 応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集(Web). 2014. 40
  • 茂藤健太, 崎山晋, 岡本隼人, 酒井崇嗣, 中嶋一敬, 原英之, 西村浩人, 高倉健一郎, 角田功. 非晶質Ge/SiO2のAu誘起横方向成長に及ぼす電子線照射効果. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2014. 75th
  • 酒井崇嗣, 中嶋一敬, 茂藤健太, 本山慎一, 楠田豊, 古田真浩, 中庸行, 沼田朋子, 高倉健一郎, 角田功. 非晶質Ge/SiO2のAu誘起横方向成長に及ぼす応力印加効果. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2014. 75th
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学位 (1件)：
  • 博士(工学) (筑波大学)
委員歴 (1件)：
  • 2022/01 - 現在 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM) Program Committee Member (Area 10)
受賞 (8件)：
  • 2020/12 - 第9回(2020年度) エヌエフ基金 研究開発奨励賞
  • 2020/03 - 2019年度筑波大学数理物質科学研究科長賞
  • 2017/09 - 第43回(2017年秋季)応用物理学会講演奨励賞
  • 2017/03 - 第7回(平成28年度)九州大学大学院システム情報科学府優秀学生表彰
  • 2016/11 - 第8回半導体材料・デバイスフォーラム ポスター発表奨励賞・最優秀賞
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