研究者
J-GLOBAL ID：202101004625238144   更新日: 2024年10月08日

今林 弘毅

イマバヤシ ヒロキ | IMABAYASHI Hiroki
所属機関・部署：
福井大学 工学系部門 工学領域 電気・電子工学講座

福井大学 工学系部門 工学領域 電気・電子工学講座 について


職名： 助教
研究分野 (2件)： 電気電子材料工学 ,  薄膜、表面界面物性
競争的資金等の研究課題 (1件)：
  • 2023 - 2026 高信頼性有機半導体デバイス実現に向けた非接触・in-situ二次元評価法の確立
論文 (9件)：
  • Kenji Shiojima, Hiroki Kawai, Yuto Kawasumi, Hiroshi Takehira, Yuki Wakisaka, Hiroki Imabayashi, Takeshi Iwasaki, Katsuyoshi Komatsu, and Tadaomi Daibou. Local bandgap narrowing in forming state of threshold switching materials. Applied Physics Letters. 2024. 125. 2. 023503-(7)
  • Hiroki Imabayashi, Hitose Sawazaki, Haruto Yoshimura, Masashi Kato, and Kenji Shiojima. Photoelectrical characterization of heavily doped,p-SiC Schottky contacts. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 04SP71-(6)
  • Hiroki Imabayashi, Haruto Yoshimura, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Hajime Fujikura, Hiroshi Ohta, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima. Two-Dimensional Characterization of Au/Ni/Thin Heavily-Mg-Doped p-/n-GaN Structure under Applied Voltage by Scanning Internal Photoemission Microscopy. Phys. Status Solidi B. 2024. 2400033-(7)
  • Hiroki Imabayashi, Kenji Shiojima, Tetsu Kachi. Mapping of ultra-high-pressure annealed n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023. 162. 107536-(8)
  • Hiroki Imabayashi, Yuto Yasui, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima. Characterization of peripheries of n-GaN Schottky contacts using scanning,internal photoemission microscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 62. SA. SA1012-(7)
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講演・口頭発表等 (30件)：
  • 界面顕微光応答法によるJBS構造の二次元評価
    (第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
  • Face-to-Face高温高圧アニールによる均一性の向上,~Au/Ni/n-GaNショットキー接触を用いた界面顕微光応答法による二次元評価~
    (第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
  • Improvement of Uniformity by Face-to-Face Ultra-High-Pressure Annealing Observed by Scanning Internal Photoemission Microscopy Using Au/Ni/n-GaN Schottky Contacts
    (2024 International Conference on Solid State Devices and Materials 2024)
  • Precise Measurements of Small Reverse-Biased-Currents for Large-Barrier Au/Ni/n-GaN Schottky Contacts
    (2024 International Conference on Solid State Devices and Materials 2024)
  • 界面顕微光応答法によるGaN JBS構造の電流輸送機構の二次元解析
    (2024年度 日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回研究会 2024)
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学歴 (1件)：
  • 2011 - 2014 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (大阪大学)
経歴 (3件)：
  • 2021/01 - 2021/02 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 研究員
  • 2017/04 - 2020/12 シャープ株式会社 ディスプレイデバイスカンパニー 研究員
  • 2010/04 - 2017/03 WDBエウレカ株式会社
受賞 (2件)：
  • 2024/07 - Arerican Institure of Physics Featured Article in Applied Physics Letters Local bandgap narrowing in forming state of threshold switching materials
  • 2022/10 - ADMETA 2022 plus Poster Award Internal Photoemission Characterization for Low-Temperature-Grown GaAsBi Layers
所属学会 (1件)：
応用物理学会
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