研究者
J-GLOBAL ID:202101007931323820   更新日: 2024年08月30日

畑山 祥吾

ハタヤマ ショウゴ | Hatayama Shogo
所属機関・部署:
職名: 研究員
研究分野 (1件): 無機材料、物性
研究キーワード (4件): アモルファス ,  不揮発性メモリ ,  カルコゲナイド ,  相変化材料
競争的資金等の研究課題 (5件):
  • 2022 - 2025 低環境負荷と高耐熱性を兼ね備えたセレクタデバイスの創製
  • 2022 - 2024 バンドエンジニアリングによる高機能性結晶酸化物型セレクタ材料の実現
  • 2021 - 2023 相変化材料と酸化物の積層MIS接合を用いた大容量・低消費電力不揮発性メモリの実現
  • 2022 - 2023 次世代選択素子の実現に向けた遷移金属含有アモルファスカルコゲナイド材料の創製
  • 2017 - 2020 Cr-Ge-Te系層状物質の高速相変化機構の解明及び不揮発性メモリへの応用
論文 (44件):
  • Yi Shuang, Yuta Saito, Shogo Hatayama, Paul Fons, Ando Daisuke, Yuji Sutou. Amorphous-to-crystalline transition-induced two-step thin film growth of quasi-one-dimensional penta-telluride ZrTe5. Journal of Materials Science and Technology. 2025. 210. 246-253
  • Misako Morota, Shogo Hatayama, Yi Shuang, Shunsuke Mori, Yuji Sutou, Paul Fons, Yuta Saito. Interfacial reaction behavior between ferromagnetic CoFeB and the topological insulator Sb2Te3. Surfaces and Interfaces. 2024. 51
  • Shogo Hatayama, Kotaro Makino, Yuta Saito. Phase-change behavior of RuSbTe thin film for photonic applications with amplitude-only modulation. Scientific Reports. 2024
  • Kentaro Saito, Shogo Hatayama, Yuta Saito. Modified Electronic Structure of Amorphous Mn-Si-Te for Ovonic Threshold Switch Application: Improved Thermal Stability by the Formation of Mn-Te Bonding. physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters. 2024
  • Naoya Okada, Wen Hsin Chang, Shogo Hatayama, Yuta Saito, Toshifumi Irisawa. Electrical properties and band alignments of Sb2Te3/Si heterojunctions, low-barrier Sb2Te3/n-Si and high-barrier Sb2Te3/p-Si junctions. Applied Physics Express. 2024
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MISC (24件):
  • 杉浦史生, 馬場将亮, 篠原維月, 畑山祥吾, 齊藤雄太, 内田紀行, 武田雅敏. スパッタ法で成膜した結晶VO2薄膜の物性に及ぼす熱処理条件の影響. 日本金属学会講演大会(Web). 2023. 173rd
  • 石原島弘明, 石原島弘明, 馬場将亮, 畑山祥吾, 齊藤雄太, 内田紀行, 武田雅敏. スパッタ法で成膜したVO2薄膜の物性に及ぼすWドープの影響. 日本金属学会講演大会(Web). 2022. 171st
  • 畑山祥吾, 齊藤雄太, 齊藤雄太, 内田紀行, 内田紀行. Hf-O-Te系アモルファス薄膜の組成制御によるセレクタ機能の発現. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • 齊藤雄太, 畑山祥吾, 諸田美砂子. 配向制御したカルコゲナイド相変化材料薄膜. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • 須藤祐司, 畑山祥吾, 森竣祐, YI Shunag. 相変化メモリの高性能化:新材料創成からのアプローチ. 半導体・集積回路技術シンポジウム(CD-ROM). 2021. 85th
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特許 (2件):
学歴 (1件):
  • 2017 - 2020 東北大学 大学院工学研究科
学位 (1件):
  • 博士(工学) (東北大学)
経歴 (3件):
  • 2023/04 - 現在 国立研究開発法人産業技術総合研究所 研究員
  • 2021/04 - 2023/03 国立研究開発法人産業技術総合研究所 産総研特別研究員
  • 2020/04 - 2021/03 東北大学 大学院工学研究科 博士研究員
受賞 (2件):
  • 第49回 応用物理学会講演奨励賞
  • 第6回シリコン材料・デバイス研究会 若手優秀発表賞
所属学会 (2件):
日本金属学会 ,  応用物理学会
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