前田拓也

マエダタクヤ | Maeda Takuya

所属機関・部署：
職名：講師
ホームページURL (1件)： https://scholar.google.co.jp/citations?user=5O-kAOMAAAAJ&hl=ja&oi=ao

研究分野 (2件)：電気電子材料工学 , 薄膜、表面界面物性

研究キーワード (10件)：ワイドギャップ半導体 , 窒化ガリウム(GaN) , 窒化アルミニウム(AlN) , パワーデバイス , 高周波(RF)デバイス , 高電界物性 , アバランシェ破壊 , ドリフト速度 , ショットキー接合 , p-n接合

競争的資金等の研究課題 (15件)：

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論文 (23件)：

Atsushi Kobayashi, Yoshio Honda, Takuya Maeda, Tomoya Okuda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka. Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering. Applied Physics Express. 2023. 17. 1. 011002-011002
A. Kobayashi, S. Kihira, T. Akiyama, T. Kawamura, T. Maeda, K.i Ueno, H. Fujioka. Epitaxial Junction of Inversion Symmetry Breaking AlN and Centrosymmetric NbN: A Polarity Control of Wide-Bandgap AlN. ACS Applied Electronic Materials. 2023
J. Casamento, K. Nomoto, T-S Nguyen, H. Lee, C. Savant, L. Li, A. Hickman, T. Maeda, J. Encomendero, V. Gund, et al. FerroHEMTs: High-Current and High-Speed All-Epitaxial AlScN/GaN Ferroelectric Transistors. IEDM 2022 Technical Digest. 2022. 11.1.1-11.1.4
Takuya Maeda, Ryan Page, Kazuki Nomoto, Masato Toita, Huili Grace Xing, Debdeep Jena. AlN quasi-vertical Schottky barrier diode on AlN bulk substrate using Al_0.9Ga_0.1N current spreading layer. Applied Physics Express. 2022. 15. 6. 061007-061007
Joseph Casamento, Hyunjea Lee, Takuya Maeda, Ved Gund, Kazuki Nomoto, Len van Deurzen, Wesley Turner, Patrick Fay, Sai Mu, Chris G. Van de Walle, et al. Epitaxial Sc_xAl_1-_xN on GaN exhibits attractive high-K dielectric properties. Applied Physics Letters. 2022. 120. 15. 152901-152901

講演・口頭発表等 (41件)：

Study on 2DEG Density in ScAlN/GaN and AlGaN/GaN Heterostructures Based on Simulation and Analytical Modeling
(14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 14) 2023)
Structural Properties of Epitaxial ScAlN Films Grown by Sputtering: Experimental and Machine Learning Approaches
(14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 14) 2023)
Sputtering Epitaxial Integration of AlN and NbN for Polarity Control and CrystalPhase Manipulation
(14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 14) 2023)
[Late News] First Demonstration of Ferroelectricity and High-K Dielectric Constant in Ultrawide Bandgap AlBN MBE Films
(14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 14) 2023)
Characterization of Optical Properties and Bandgaps of ScxAl1-xN Epitaxially Grown on GaN Bulk Substrate by Sputtering Method
(14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 14) 2023)

学歴 (4件)：

学位 (3件)：

経歴 (6件)：

2023/10 - 現在東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻講師
2022/04 - 2023/09 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻助教
2020/07 - 2022/03 Cornell University Department of Electrical & Computer Engineering (ECE) Kavli Institute at Cornell (KIC) postdoctoral research fellow
2020/07 - 2022/03 Cornell University Department of Electrical & Computer Engineering (ECE) 日本学術振興会海外特別研究員
2020/04 - 2020/07 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻日本学術振興会特別研究員PD

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委員歴 (6件)：

2023/10 - 2025/09 The 82nd Device Research Conference Committee of Young Professional Forum
2023/10 - 2025/03 European Materials Research Society (E-MRS 2024) Organizing Committee
2023/06 - 2025/03 The 69th International Electron Device Meetings (IEDM) Program Committee, Power, Microwave/Mm-Wave and Analog Devices/Systems (PMA) area
2023/04 - 2025/03 第42回電子材料シンポジウム(EMS) 実行委員会会場委員
2023/04 - 2024/03 Lester Eastman Conference on High Performance Devices 2023 Program Committee

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受賞 (14件)：

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所属学会 (2件)：

IEEE , 応用物理学会

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前田 拓也