研究者
J-GLOBAL ID:202201010001463507   更新日: 2024年05月19日

Piedra Lorenzana Jose Alberto

Piedra Lorenzana Jose Alberto
研究分野 (1件): 電気電子材料工学
研究キーワード (5件): Photonics devices ,  Crystal growth ,  Si ,  Ge ,  GaP
競争的資金等の研究課題 (1件):
  • 2023 - 2025 Novel group-IV nitride films by reactive sputtering as potential nonlinear optical materials in Si photonics
論文 (11件):
  • Joshua Chombo, Mohd Faiz Bin Amin, Jose A. Piedra-Lorenzana, Takeshi Hizawa, Keisuke Yamane, Mingjun Jiang, Donghwan Ahn, Kazumi Wada, Yasuhiko Ishikawa. Anti-relaxation of tensile lattice strain in Si-embedded Ge strip structure for photonic device applications. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 3
  • Takumi Maeda, Kota Kato, Jose A. Piedra-Lorenzana, Takeshi Hizawa, Tetsuya Nakai, Yasuhiko Ishikawa. Trench-filling heteroepitaxy of [100]-oriented germanium arrays on (001) silicon substrate. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 3
  • Mohd Faiz Bin Amin, Jose A. Piedra-Lorenzana, Keisuke Yamane, Takeshi Hizawa, Tetsuya Nakai, Yasuhiko Ishikawa. High-quality Ge epitaxial film based on dislocation trapping mechanism in patterned Si substrate. Japanese Journal of Applied Physics. 2023
  • Kota Kato, Kazuki Motomura, Jose A. Piedra-Lorenzana, Mohd Faiz Bin Amin, Takeshi Hizawa, Tetsuya Nakai, Yasuhiko Ishikawa. Trench-Filling Epitaxy of Germanium on (001) Silicon Enhanced Using [100]-Oriented Patterns. Journal of Electronic Materials. 2023
  • Mohd Faiz Bin Amin, Takeshi Hizawa, Jose A. Piedra-Lorenzana, Tetsuya Nakai, Yasuhiko Ishikawa. Reduced Threading Dislocation Density in a Ge Epitaxial Film on a Submicron-Patterned Si Substrate Grown by Chemical Vapor Deposition. Journal of Electronic Materials. 2023
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MISC (13件):
  • CHOMBO Joshua, AMIN Mohd Faiz Bin, HIZAWA Takeshi, PIEDRA-LORENZANA Jose A., JIANG Mingjun, AHN Donghwan, WADA Kazumi, ISHIKAWA Yasuhiko. Si基板上に成長したGe埋め込み細線構造における引張格子ひずみ. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
  • AMIN Mohd Faiz Bin, PIEDRA-LORENZANA Jose A., YAMENE Keisuke, HIZAWA Takeshi, NAKAI Tetsuya, ISHIKAWA Yasuhiko. V溝パターンを形成したSi基板上へのGe層のエピタキシャル成長. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 84th
  • PIEDRA-LORENZANA Jose A., KANEKO Shohei, FUKUSHIMA Takaaki, YAMANE Keisuke, FUJIKATA Junichi, ISHIKAWA Yasuhiko. Ge-on-SiフォトニックデバイスのためのAlNストレッサー層【JST・京大機械翻訳】. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 84th
  • PIEDRA-LORENZANA Jose A., KANEKO Shohei, FUKUSHIMA Takaaki, YAMANE Keisuke, FUJIKATA Junichi, ISHIKAWA Yasuhiko. Si上のGeフォトニックデバイス用のストレッサーとしての反応性スパッタリングによるAlN膜. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2023. 123. 41(ED2023 1-9)
  • 古家聖輝, 葛谷樹矢, PIEDRA-LORENZANA Jose A., 飛沢健, 山根啓輔, 石川靖彦. Si上Ge層の固相成長におけるGeエピタキシャル緩衝層の効果. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2023. 123. 41(ED2023 1-9)
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講演・口頭発表等 (43件):
  • CVD Growth of SiGe Layer on Bulk Si for Optical Waveguide Application
    (Photonic Device Workshop 2023 (PDW2023) 2023)
  • Formation of TEOS-SiOx film by PECVD for Si Photonics Applications
    (Photonic Device Workshop 2023 (PDW2023) 2023)
  • Enhanced L- and U-band Responsivity in Lateral p-i-n Photodetectors of Ge Wire on Si
    (Photonic Device Workshop 2023 (PDW2023) 2023)
  • Characterization of Dark Current in Free-Space pin Photodetector of Strain-Enhanced Ge Layer on Si
    (Photonic Device Workshop 2023 (PDW2023) 2023)
  • UHV-CVDによるV溝パターンSi基板上へのGeエピタキシャル成長
    (第10回 応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 2023)
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所属学会 (1件):
応用物理学会
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