研究者
J-GLOBAL ID：202301000079333679   更新日: 2023年11月24日

岩田 栄之

イワタ ヒデユキ | Iwata Hideyuki
所属機関・部署：
富山県立大学 工学部電気電子工学科

富山県立大学 工学部電気電子工学科 について


職名： 准教授
研究分野 (1件)： 電子デバイス、電子機器
論文 (83件)：
  • T. Tomita, T. Matsuda, H. Iwata, T. Ohzone. Electroluminescence of Si Based MOS Device with Ternary Rare Earth Doped Oxide. 4th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2020 - Proceedings. 2020
  • Satoshi Ushida, Yuri Mukai, Toshihiro Matsuda, Hideyuki Iwata, Tomoyuki Hatakeyama, Takashi Ohzone. Analysis of Temperature Distribution in Stacked IC with Three Tier Structure. 2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings. 2018. 265-267
  • Toshihiro Matsuda, Fumihiro Hattori, Hideyuki Iwata, Takashi Ohzone. Electroluminescence color tuning between green and red from metal-oxide-semiconductor devices fabricated by spin-coating of rare-earth (terbium + europium) organic compounds on silicon. Japanese Journal of Applied Physics. 2018. 57. 4
  • Toshihiro Matsuda, Haruka Demachi, Hideyuki Iwata, Tomoyuki Hatakeyama, Takashi Ohzone. Analysis of Metal Wire Effect on Temperature Distribution in Stacked IC with Thinned Chip. IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 2017. 30. 3. 227-235
  • Fumihiro Hattori, Hideyuki Iwata, Toshihiro Matsuda, Takashi Ohzone. Electroluminescence characteristics of rare earth doped silicon based light emitting device. 2017 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2017 - Proceedings. 2017. 187-188
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MISC (3件)：
  • 岩田 栄之, 松田 敏弘. ナノスケールMOSFET対応の2次元量子力学的自己無撞着モデル. 富山県立大学紀要 = Bulletin of Toyama Prefectural University / 富山県立大学 編. 2004. 14. 91-95
  • 岩田 栄之. MOS反転層における量子力学的自己無撞着計算. 富山県立大学紀要 = Bulletin of Toyama Prefectural University / 富山県立大学 編. 2000. 10. 91-95
  • 大曽根 隆志, 岩田 栄之. 高い(電子・正孔)移動度を有する高性能な統合化 CMOS デバイスの提案. 富山県立大学紀要. 1991. 1. 60-68
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (名古屋大学)
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