研究者
J-GLOBAL ID:202301008153334519   更新日: 2024年01月31日

Yoshikawa Takeshi

ヨシカワ タケシ | Yoshikawa Takeshi
所属機関・部署:
職名: 教授
競争的資金等の研究課題 (13件):
  • 2021 - 2026 超温度場セラミックス材料創成科学
  • 2022 - 2025 Gibbs-Thomson溶媒が拓く超速エピタキシーの新展開
  • 2019 - 2023 結晶成長界面の制御のキーファクター=ステップ物性:その計測と熱力学モデル構築
  • 2020 - 2021 ナノ粒子応用SiC結晶の超高速液相エピタキシー
  • 2015 - 2018 界面直接観察と分子動力学法によるSiC溶液成長界面のステップ構造形成機構の解明
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論文 (121件):
  • Sakiko Kawanishi, Hiroyuki Shibata, Takeshi Yoshikawa. Contribution of Dislocations in SiC Seed Crystals on the Melt-Back Process in SiC Solution Growth. Materials. 2022. 15. 5
  • Xinming Xing, Takeshi Yoshikawa, Olga Budenkova, Didier Chaussende. A sessile drop approach for studying 4H-SiC/liquid silicon high-temperature interface reconstructions. Journal of Materials Science. 2022. 57. 2. 972-982
  • Sakiko Kawanishi, Hironori Daikoku, Hiroyuki Shibata, Takeshi Yoshikawa. Suppressing solvent compositional change during solution growth of SiC using SiC/C gradient crucible. Journal of Crystal Growth. 2021. 576
  • Hironori Daikoku, Sakiko Kawanishi, Takehiko Ishikawa, Takeshi Yoshikawa. Density, surface tension, and viscosity of liquid Si-Cr alloys and influence on temperature and fluid flow during solution growth of SiC. Journal of Chemical Thermodynamics. 2021. 160
  • Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa, Didier Chaussende, Hiroyuki Shibata. In Situ Interferometry for ppm-Order Solubility Analysis at High Temperatures: A Case Study of Carbon Solubility in Molten Silicon. Metallurgical and Materials Transactions B: Process Metallurgy and Materials Processing Science. 2021. 52. 4. 2619-2625
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