研究者
J-GLOBAL ID:202301008153334519   更新日: 2024年11月15日

Yoshikawa Takeshi

ヨシカワ タケシ | Yoshikawa Takeshi
所属機関・部署:
職名: 教授
競争的資金等の研究課題 (14件):
  • 2024 - 2028 高温溶液成長の3DxTイメージングとフェーズフィールドアナリシス
  • 2021 - 2026 超温度場セラミックス材料創成科学
  • 2022 - 2025 Gibbs-Thomson溶媒が拓く超速エピタキシーの新展開
  • 2019 - 2023 結晶成長界面の制御のキーファクター=ステップ物性:その計測と熱力学モデル構築
  • 2020 - 2021 ナノ粒子応用SiC結晶の超高速液相エピタキシー
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論文 (128件):
  • Sakiko Kawanishi, Tomohiro Yamada, Hironori Daikoku, Hiroyuki Shibata, Takeshi Yoshikawa. (Invited) In-situ Observation of Silicon Carbide Solution Growth: Observation Principle and Effect of Al Addition to Si-Cr Solvent. ECS Transactions. 2024. 114. 4. 3-15
  • Sunglock Lim, Ikuru Hatakeyama, Masashi Nakamoto, Takeshi Yoshikawa, Toshihiro Tanaka. Effect of Wettability on Droplet Agglomeration in Two Immiscible Liquids. 2024. 64. 8. 1334-1337
  • Takeshi Mitani, Sakiko Kawanishi, Kazuma Eto, Tomohisa Kato, Didier Chaussende, Takeshi Yoshikawa. Suppression of SiC Inclusions in 4H-SiC Crystals Grown from Si-Cr-C-Based Solution Saturated with SiC. 2024. 24. 6. 2526-2532
  • Sakiko Kawanishi, Takeshi Mitani, Masaru Takakura, Takeshi Yoshikawa, Hiroyuki Shibata. Quantification of nitrogen in heavily doped silicon carbide by soft X-ray emission spectroscopy. Journal of Crystal Growth. 2023. 619. 127345-127345
  • Sakiko Kawanishi, Hiroyuki Shibata, Takeshi Yoshikawa. Contribution of Dislocations in SiC Seed Crystals on the Melt-Back Process in SiC Solution Growth. Materials. 2022. 15. 5
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講演・口頭発表等 (5件):
  • Synthesis of Bi1-2xPbx Cax CuSO by combining polymerized complex method and solid-state reaction method and its thermoelectric property evaluation
    (粉体粉末冶金協会令和6年度春季大会 2024)
  • Effect of Wettability on Agglomeration of Droplet in Two Immiscible Liquids
    (スマートプロセス学会学術講演会 2023)
  • フェノール樹脂を炭素源に用いた緻密SiCの作製
    (日本金属学会, 2023年秋期第173回講演大会 2023)
  • 界面その場観察による合金中4H-SiC(000-1)上のステップエネルギー計測の試み
    (日本金属学会, 2023年秋期第173回講演大会 2023)
  • 界面再構成法による各種溶媒合金中4H-SiC (000-1)上のステップバンチング挙動
    (日本金属学会, 2023年秋期第173回講演大会 2023)
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