研究者
J-GLOBAL ID:200901007672980936   更新日: 2020年05月28日

生地 文也

ショウジ フミヤ | Shoji Fumiya
所属機関・部署:
研究分野 (2件): 電気電子材料工学 ,  薄膜、表面界面物性
競争的資金等の研究課題 (1件):
  • 2010 - 2011 低ガス圧柱状プラズマ法による新規の炭素物質創製
MISC (21件):
  • 水素処理したSi表面からのNe+、Ar+およびHe+イオンによる反跳水素イオンに見られる非弾性エネルギ-損失. 1996. 115. 196
  • 低エネルギ-イオン散乱分光法および低速電子回折法によるSi(111)-7×7 表面の解析. 九州共立大学工学部研報告書. 1995. 19. 45
  • イオン散乱法によるYBa2Cu3Ox薄膜中の酸素分布の解析. 1994. 33. 10. 6039
  • 低速イオン散乱分光法によるSi(111)表面上のPb膜成長に及ぼす水素吸着の研究. 1994. 85. 439
  • シリコン表面上の水素および重水素の弾性粒子反跳法による解析. 1994. 85. 344
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学歴 (1件):
  • - 1965 大阪工業大学 工学部 機械
所属学会 (6件):
ニュ-ヨ-ク科学アカデミ- ,  アメリカ材料学会 ,  日本真空協会 ,  計測自動制御学会 ,  日本物理学会 ,  応用物理学会
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