研究者
J-GLOBAL ID：200901010643226379   更新日: 2024年04月17日

有田 正志

アリタ マサシ | Arita Masashi
所属機関・部署：
北海道大学 大学院情報科学研究院 情報エレクトロニクス部門 先端エレクトロニクス

北海道大学 大学院情報科学研究院 情報エレクトロニクス部門 先端エレクトロニクス について


職名： 助教授・准教授
ホームページURL (2件)： http://www.ist.hokudai.ac.jp/labo/nano-mat/ ,  http://www.nano.ist.hokudai.ac.jp/nano-mat/index.html
研究分野 (4件)： 金属材料物性 ,  結晶工学 ,  応用物性 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (4件)： 磁性 ,  電子顕微鏡 ,  ナノ電気物性 ,  Nano Science of Materials
競争的資金等の研究課題 (28件)：
  • 2019 - 2022 抵抗変化酸化物の原子スケール表面観察を通した高精度人工シナプス材料の提案
  • 2016 - 2019 人工ニューロン開発を目指したその場TEM法による抵抗変化メモリ回路動作の研究
  • 2014 - 2016 サイドゲート制御型抵抗変化メモリの開拓
  • 2013 - 2016 TEM-STMその場計測による抵抗変化メモリの動作機構解明
  • 2012 - 2015 多値ReRAM搭載のナノドットアレイによる多入力多出力フレキシブルデバイスの研究
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論文 (191件)：
  • Takayuki Gyakushi, Ikuma Amano, Ryota Tanizawa, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Characteristics of the single-electron conduction properties of randomly distributed metal nanodot arrays. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2. 025001-025001
  • Keiji Tsubaki, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Dynamics of an Electrically Driven Phase Transition in Ca2RuO4 Thin Films: Nonequilibrium High-Speed Resistive Switching in the Absence of an Abrupt Thermal Transition. Advanced Electronic Materials. 2023
  • Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Takayoshi Katase, Hiromichi Ohta, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Direct Imaging of Ion Migration in Amorphous Oxide Electronic Synapses with Intrinsic Analog Switching Characteristics. ACS Applied Materials & Interfaces. 2023. 15. 13. 16842-16852
  • Takayuki Gyakushi, Ikuma Amano, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Double gate operation of metal nanodot array based single electron device. Scientific Reports. 2022. 12. 1
  • Takayuki Gyakushi, Ikuma Amano, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Coulomb Blockade Oscillations Oberved in Micrometer-sized Single-Electron Device of Metal Nanodot Array. 2022 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW). 2022
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MISC (59件)：
  • 高橋庸夫, 寒川誠二, 有田正志, 大野武雄, 福地厚, 遠藤和彦, 李遠霖, 瘧師貴幸. ナノ構造を用いた多機能ナノデバイス作成とその応用に関する研究. 東北大学流体科学研究所共同利用・共同研究拠点流体科学国際研究教育拠点活動報告書. 2021. 2019 (CD-ROM)
  • 谷澤涼太, 天野郁馬, 瘧師貴幸, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫. 異なるSiO2下地層上に形成したナノドットアレイの電気特性比較. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • 谷澤涼太, 天野郁馬, 瘧師貴幸, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫. Feナノドットアレイの電気伝導特性の下地層依存性. 応用物理学会北海道支部/日本光学会北海道支部合同学術講演会講演予稿集. 2021. 56th-17th (CD-ROM)
  • 天野郁馬, 瘧師貴幸, 谷澤涼太, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫. 熱酸化およびスパッタ製膜SiO2上に形成したFeナノドットアレイの単電子特性. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
  • 天野郁馬, 瘧師貴幸, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫. SiO2上のFeナノドットアレイの電気伝導特性の表面依存. 応用物理学会北海道支部/日本光学会北海道支部合同学術講演会講演予稿集. 2020. 55th-16th
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書籍 (1件)：
  • Mesoscopic Materials and Clusters
    Kodansha/Springer 1999
講演・口頭発表等 (240件)：
  • ReRAMスイッチのその場TEM観察による動作機構解明
    (日本学術振興会R025先進薄膜界面機能創成委員会 第6回研究会 2021)
  • 2次元磁気グラニュラーの光インピーダンス特性,日本物理学会2021年秋季大会
    (日本物理学会2021年秋季大会 2021)
  • Ca2RuO4薄膜における非線形伝導現象の高速化と不連続転移の観測
    (日本物理学会2021年秋季大会 2021)
  • 熱酸化およびスパッタ製膜SiO2上に形成したFeナノドットアレイの単電子特性
    (第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021)
  • Ca2RuO4エピタキシャル薄膜における電流誘起非線形伝導
    (第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021)
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Works (27件)：
  • TEMを用いたナノ微粒子の伝導特性評価に関する研究、日本物理学会春季講演会
    2005 -
  • 数を制限したナノ粒子系におけるトンネル伝導特性のTEMその場実験、日本顕微鏡学会北海道支部講演会
    2005 -
  • Fe-MgO複合膜におけるクーロンステアケースのTEMその場実験、応用物理学会秋季講演会
    2005 -
  • 量子ドットアレイによる多機能デバイスの特性シミュレーション、応用物理学会春季講演会
    2005 -
  • 1ナノ粒子系のトンネル伝導特性に関するTEMその場実験、日本顕微鏡学会講演会
    2005 -
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学歴 (5件)：
  • - 1987 スイス連邦チューリッヒ工科大学 数物科学研究科 数学物理
  • - 1985 大阪大学 基礎工学研究科
  • - 1985 大阪大学
  • - 1980 広島大学 理学部 物性学科
  • - 1980 広島大学
学位 (1件)：
  • 理学博士 (チューリッヒ工科大学(スイス連邦))
委員歴 (5件)：
  • 2009 - 2010 日本金属学会 分科会運営委員
  • 2006 - 2008 応用物理学会 北海道支部庶務幹事
  • 2006 - 2008 日本金属学会 評議員(北海道支部)
  • 1998 - 1999 応用物理学会 北海道支部会計幹事
  • 1998 - 1999 日本金属学会 編集委員
所属学会 (4件)：
日本顕微鏡学会 ,  日本磁気学会 ,  応用物理学会 ,  日本金属学会
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