研究者
J-GLOBAL ID:200901012083161902   更新日: 2024年08月16日

相澤 俊

アイザワ タカシ | Aizawa Takashi
研究分野 (1件): 薄膜、表面界面物性
研究キーワード (6件): 表面 ,  炭化物 ,  ホウ化物 ,  Surface ,  Carbide ,  Boride
競争的資金等の研究課題 (2件):
  • 遷移金属二ホウ化物表面の研究
  • Surfaces of transition-metal diborides
論文 (39件):
  • Kenneth Magallon Senados, Mariana S. L. Lima, Takashi Aizawa, Isao Ohkubo, Takahiro Baba, Akira Uedono, Takeaki Sakurai, Takao Mori. Influence of Ge to the formation of defects in epitaxial Mg2Sn1-x Ge x thermoelectric thin films. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2. 02SP40-02SP40
  • Sahiba Bano, Ying Peng, Takashi Aizawa, Raju Chetty, Takao Mori. Realizing enhanced thermoelectric performance in an n-type Mg3(Bi,Sb)2-based film. Journal of Materials Chemistry C. 2023. 11. 43. 15130-15137
  • Isao Ohkubo, Takashi Aizawa, Kenneth Magallon Senados, Mariana S. L. Lima Lima, Takeaki Sakurai, Takao Mori. Surface chemical states and structures of epitaxial Mg2Sn thermoelectric thin films. Japanese Journal of Applied Physics. 2023
  • Isao OHKUBO, Masayuki Murata, Akihiko OHI, M. S. L. Lima, Takeaki Sakurai, Takashi AIZAWA, Takao Mori. Structural effects on the performance of microfabricated in-plane π-type thermoelectric devices composed of p-type Mg2Sn0.8Ge0.2 and n-type Bi layers. Applied Physics Letters. 2023. 122. 24. 243901
  • Norinobu Watanabe, Keisuke Miyazaki, Masayuki Toyoda, Kotaro Takeyasu, Naohito Tsujii, Haruki Kusaka, Akiyasu Yamamoto, Susumu Saito, Masashi Miyakawa, Takashi Taniguchi, et al. Rhombohedral Boron Monosulfide as a p-Type Semiconductor. MOLECULES. 2023. 28. 4
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MISC (11件):
特許 (4件):
  • 極高真空用真空計
  • 炭化ニオブフィールドエミッタ-の作製方法
  • ニホウ化レニウム単結晶の製造方法
  • SiC薄膜の作成方法
学歴 (3件):
  • 東京大学
  • 東京大学大学院
  • 東京大学
学位 (1件):
  • 博士(理学) (東京大学)
所属学会 (2件):
日本物理学会 ,  Physical Society of Japan
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