研究者
J-GLOBAL ID:200901014372193440
更新日: 2020年05月17日
平間 一行
ヒラマ カズユキ | Hirama Kazuyuki
所属機関・部署:
旧所属 早稲田大学 理工学術院
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MISC (34件):
Kazuyuki Hirama, Shingo Miyamoto, Hiroki Matsudaira, Hitoshi Umezawa, Hiroshi Kawarada. Fabrication of T-shaped gate diamond metal-insulator-semiconductor field-effect transistors. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS. 2006. 45. 7. 5681-5684
K Hirama, S Miyamoto, H Matsudaira, K Yamada, H Kawarada, T Chikyo, H Koinuma, K Hasegawa, H Umezawa. Characterization of diamond metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with aluminum oxide gate insulator. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2006. 88. 11. 112117
Diamond MISFETs for High Frequency Applications. Jpn. J. Appl. Phys. 2006. 45(in press)
ホール蓄積層を用いたダイヤモンドMISFETのパワー特性. 応用物理学会学術講演会. 2006. 春季第53回
ダイヤモンドへのイオン照射による 局所低抵抗層の形成とその応用. 応用物理学会学術講演会. 2006. 春季第53回
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