研究者
J-GLOBAL ID：200901014548101971   更新日: 2024年11月22日

中村 淳

ナカムラ ジュン | NAKAMURA JUN
所属機関・部署：
電気通信大学 大学院情報理工学研究科、情報理工学域基盤理工学専攻、III類(理工系)

電気通信大学 大学院情報理工学研究科、情報理工学域基盤理工学専攻、III類(理工系) について


職名： 教授
ホームページURL (2件)： http://www.natori.ee.uec.ac.jp/junj/index-j.html ,  http://www.natori.ee.uec.ac.jp/junj/index.html
研究分野 (5件)： 計算科学 ,  半導体、光物性、原子物理 ,  ナノ構造物理 ,  結晶工学 ,  薄膜、表面界面物性
研究キーワード (20件)： 触媒 ,  第一原理計算 ,  Surface structure of solids ,  Electronic properties in general ,  Thin films ,  Crystal structure in general;crystallography ,  Dielectric properties and materials ,  Magnetic properties and materials ,  Methods of structure determination; diffraction crystallography ,  Crystal growth ,  Electronic structure ,  固体の表面構造 ,  電子物性一般 ,  薄膜 ,  結晶構造一般;結晶学 ,  誘電体 ,  磁性 ,  構造決定法;回折結晶学 ,  結晶成長 ,  電子構造
競争的資金等の研究課題 (10件)：
  • 2024 - 2027 一酸化炭素還元能を発現させる非平面π共役系原子配列の設計と評価
  • 2023 - 2026 二次元錯体配列によるシナジェティック触媒の新展開
  • 2010 - 2012 Mn-GaAs系二次元構造制御による新奇強磁性物質の創製と磁性発現機構の解明
  • 2010 - 2011 ホモマテリアルヘテロ界面の周期配列制御によるメタマテリアルの創製
  • 2008 - 2009 ナノスケールSiO2/Si界面の局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
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論文 (151件)：
  • Arikasuci Fitonna Ridassepri, Yutaro Umejima, Jun Nakamura. B-Doped Fullerene as a Potential Metal-Free Catalyst Material for CO Reduction Reaction. The Journal of Physical Chemistry C. 2024. 128. 9513-9519
  • Jawahir Ali Sharifi, Rongyao Sun, Jun Nakamura. First-principles study on edge-edge interactions of bilayer zigzag SiC nanoribbons. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 055001-1-055001-7
  • Fitria Rahmawati, Ainaya Febi Amalia, Arikasuci Fitonna Ridassepri, Jun Nakamura, Younki Lee. A Functional N/S-doped Carbon Electrode from a Carbonized Bagasse Activated with Water Vapor. Journal of Electrochemical Science and Technology. 2024. 15. 4. 466-475
  • Akihiro Ohtake, Takayuki Suga, Shunji Goto, Daisuke Nakagawa, Jun Nakamura. Atomic structure of the Se-passivated GaAs(001) surface revisited. Scientific Reports. 2023. 13. 1
  • Lucia G. Arellano, Alma L. Marcos-Viquez, Francisco De Santiago, Álvaro Miranda, Luis A. Pérez, Jun Nakamura, Miguel Cruz-Irisson. Hydrogen storage on tin carbide monolayers with transition metal adatoms. International Journal of Hydrogen Energy. 2023. 48. 96
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MISC (52件)：
  • 中村淳. オゾンの効率的な生成を促す局所原子配列. 表面と真空. 2021. 64. 10. 482-482
  • Nagahiro Saito, Jun Nakamura, Tatsuru Shirafuji, Takahiro Ishizaki. Plasma in Solution and Its Applications FOREWORD. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2018. 57. 1. 010201
  • 菅野 雄介, 大竹 晃浩, 中村 淳. 26pPSB-36 Mn吸着(2×2)-GaAs(001)表面構造および電子状態(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2012. 67. 1. 964-964
  • 菅野 雄介, 大竹 晃浩, 平山 基, 中村 淳. 23pPSB-7 GaAs(001)-(2×2)Mn表面の原子配列と電子状態評価(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2011. 66. 2. 946-946
  • 大竹 晃浩, 平山 基, 中村 淳. 23aWS-9 Sb安定化GaSb(001)-(2x5)表面の原子配列(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2010. 65. 2. 838-838
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書籍 (9件)：
  • Molecular Technology, Volume 3: Materials Innovation (hardcover)
    Wiley 2019 ISBN:9783527341610
  • Molecular Technology, Volume 3: Materials Innovation (e-book)
    Wiley 2019 ISBN:9783527802722
  • グラフェンの機能と応用展望《普及版》
    シー・エム・シー出版 2015 ISBN:9784781310305
  • 応用物理分野のアカデミック・ロードマップ(改訂版)
    応用物理学会 ISBN 978-4-86348-073-5 2010
  • 応用物理分野の発展史マップ
    応用物理学会 ISBN 978-4-86348-074-2 2010
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講演・口頭発表等 (385件)：
  • Simulation for the in-plane surface dipole moment distribution of the Si surface using DFT calculations
    (2nd International Colloquium on Scanning Probe Microsopy (ICSPM-32) 2024)
  • Visualization of the Surface Dipole Moment at the Si(111) Surfaces Using First-Principles Calculations
    (The 10th International Symposium on Surface Science (ISSS-10) 2024)
  • Role of Computational Simulations in Materials Science and Atomic-Level Materials Design
    (2024)
  • 第一原理計算を用いたSi(111)-(7x7)表面における表面双極子の可視化
    (第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
  • Structure and stability of the Se-treated GaAs(001) surface
    (23rd International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE-23) 2024)
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学歴 (4件)：
  • - 1996 早稲田大学 理工学研究科 材料工学専攻
  • - 1993 早稲田大学 理工学研究科 材料工学専攻
  • - 1991 早稲田大学 理工学部 材料工学科
  • 1984 - 1987 大分県立大分舞鶴高等学校
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (早稲田大学)
経歴 (9件)：
  • 2012/04/01 - 電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻 教授
  • 2007/04/01 - 2012/03/31 電気通信大学電気通信学部電子工学科 准教授
  • 2008/04/01 - 2008/09/30 東京大学物性研究所客員部門 准教授
  • 2006/04/01 - 2007/03/31 電気通信大学電気通信学部電子工学科 助教授
  • 2001/03 - 2006/03/31 電気通信大学電気通信学部電子工学科 助手
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委員歴 (39件)：
  • 2024/04 - 現在 日本表面真空学会 常務理事
  • 2022/05 - 現在 日本工学アカデミー ジェンダー委員会委員
  • 2022/04 - 現在 日本表面真空学会 協議員会委員
  • 2022/03 - 現在 応用物理学会 人材育成・教育企画委員会委員
  • 2018/01 - 2024/04 日本表面真空学会「表面と真空」編集委員会 委員
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受賞 (35件)：
  • 2023/10 - AVS Dorothy M. and Earl S. Hoffman Travel Grant
  • 2021/12 - ACS Appl. Energy. Mat. Cover art USA
  • 2020/07 - Marquis Who's Who Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America USA
  • 2019/10 - AVS AVS Dorothy M. and Earl S. Hoffman Travel Grant USA
  • 2019/07 - Marquis Who's Who Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America USA
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所属学会 (9件)：
American Vacuum Society ,  日本工学アカデミー ,  日本表面真空学会 ,  Electrochemical Society ,  American Chemical Society ,  表面科学会 ,  応用物理学会 ,  日本物理学会 ,  アメリカ物理学会
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