研究者
J-GLOBAL ID:200901024550538517
更新日: 2024年11月05日
上原 雅人
Uehara Masato
所属機関・部署:
ホームページURL (1件):
https://staff.aist.go.jp/m.uehara/
研究キーワード (1件):
圧電 強誘電 薄膜 窒素化合物 透過電子顕微鏡 構造解析 ナノ粒子
競争的資金等の研究課題 (12件):
- 2024 - 2027 窒化物圧電薄膜におけるミクロ組織の設計ストラテジーの確立
- 2022 - 2026 多元窒化物の高い圧電性の実態に迫るオペランドXASによる局所構造と元素物性の解析
- 2021 - 2024 窒化アルミニウム基エピタキシャル薄膜を用いた強誘電性サイズ効果の解明
- 2018 - 2021 元素添加で著しく圧電性能が高くなるAlNのナノファブリケーションと表面物性の研究
- 2016 - 2019 常磁性低融点金属スパッタリングに用いる新規プラズマ源の研究開発
- 2014 - 2017 透過電顕を用いたナノ蛍光体単一の光学特性評価と粒子構造との関係解明
- 2011 - 2013 コアシェルナノ粒子の結晶配向合体による量子ドット超格子構造体の作製
- 2006 - 2009 カルコパイライト型半導体によるCdフリー蛍光標識の開発
- 2003 - 2004 ホットラインリアクターによる半導体ナノクリスタルの気相合成とその構造制御
- 2001 - 2002 アモルファス複合ナノ粒子を用いた配向組織セラミックスのin-situ型高次構造制御
- 2001 - 2002 セラミックナノコンポジットにおける第二相の触媒効果
- 1998 - 1999 気相合成ダイヤモンド薄膜の極低電界電子放出に関する研究
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論文 (133件):
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Itsuki Misono, Taisei Motomura, Tatsuo Tabaru, Masato Uehara, Tetsuya Okuyama. Effect of plasma discharge pulse length for GaN film crystallinity on sapphire substrate by high density convergent plasma sputtering device. Journal of Vacuum Science & Technology A. 2024
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Kenji Hirata, Yu Ikemoto, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Sri Ayu Anggraini, Morito Akiyama. Effect of phase transition on the piezoelectric properties of scandium-alloyed gallium nitride. Journal of Applied Physics. 2024
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Masato Uehara, Yuki Amano, Takaaki Mizuno, Yasuhiro Aida, Hiroshi Yamada, Keiichi Umeda, Morito Akiyama. Lattice Distortion and Piezoelectricity Enhancement in GaN by Alloying with Group III and Rare-Earth Elements: A Comparative Experimental Study. physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters. 2023
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Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Reika Ota, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Kazuki Okamoto, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo. Invariant polarization switching kinetics in an (Al0.8Sc0.2)N film with frequency and temperature. Applied Physics Letters. 2023. 123. 20
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K. Hatashita, T. Tsuchiya, M. Okazaki, M. Nakano, S. A. Anggraini, K. Hirata, S. Ohmagari, M. Uehara, H. Yamada, M. Akiyama, et al. High electro-mechanical coupling coefficient SAW device with ScAlN on diamond. Japanese Journal of Applied Physics. 2023
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MISC (49件):
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井口 航平, 岩崎 渉, 上原 雅人, 大曲 新矢, 本村 大成, 森田 伸友, 伊藤 高廣, 村上 直. AlN膜の結晶性と弾性表面波デバイスの特性に関する研究. 精密工学会学術講演会講演論文集. 2021. 2021A. 360-361
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豊福 朋也, 平田 研二, Anggraini Sri Ayu, 秋山 守人, 上原 雅人, 山田 浩志. 第一原理計算によるMg+W添加AlNの圧電特性の調査. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.1. 1556-1556
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古田 紘雅, 平田 研二, Anggraini Sri Ayu, 秋山 守人, 上原 雅人, 山田 浩志. 第一原理電子状態計算による ScxAl1-xNの自発分極特性評価. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.1. 1557-1557
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平田 研二, 森 雄登, 山田 浩志, 上原 雅人, Anggraini Sri Ayu, 秋山 守人. YbAlNにおけるウルツ鉱相の相安定性と圧電特性に関する第一原理計算. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.1. 1558-1558
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山田 浩志, 上原 雅人, Sri Ayu Anggraini, 平田 研二, 秋山 守人. 金属元素固溶による新規窒化物圧電薄膜の開発. Fine ceramics report. 2021. 39. 1. 22-25
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学歴 (3件):
- 1995 - 1998 九州大学 大学院総合理工学研究科 材料開発工学専攻
- 1993 - 1995 九州大学 大学院総合理工学府 材料開発工学専攻
- 1989 - 1993 九州大学 工学部
学位 (1件):
経歴 (4件):
- 2024/03 - 現在 九州大学大学院総合理工学府
- 2003/10 - 現在 国立研究開発法人産業技術総合研究所
- 2015/07 - 2024/03 九州大学大学院総合理工学府
- 1998/04 - 2003/09 九州大学大学院工学研究院
所属学会 (7件):
日本金属学会
, 日本顕微鏡学会
, 応用物理学会
, 軽金属学会
, 日本セラミックス協会
, 日本誘電体学会
, 放射光学会
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