研究者
J-GLOBAL ID：200901024738875120
更新日: 2020年05月18日
高橋 幸裕
タカハシ ユキヒロ | Takahashi Yukihiro
所属機関・部署：
独立行政法人産業技術総合研究所 光技術研究部門 強相関フォトエレクトロニクスグループ
独立行政法人産業技術総合研究所 光技術研究部門 強相関フォトエレクトロニクスグループ について
「独立行政法人産業技術総合研究所 光技術研究部門 強相関フォトエレクトロニクスグループ」ですべてを検索
ホームページURL (1件)：
http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=Y20674603
MISC (5件)：
Y Takahashi, T Hasegawa, Y Abe, Y Tokura, G Saito. Organic metal electrodes for controlled p- and n-type carrier injections in organic field-effect transistors. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2006. 88. 7. 073504-1-073504-3
Y Abe, T Hasegawa, Y Takahashi, T Yamada, Y Tokura. Control of threshold voltage in pentacene thin-film transistors using carrier doping at the charge-transfer interface with organic acceptors. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2005. 87. 15. 153506-1-153506-3
T Hasegawa, R Kumai, Y Takahashi, Y Tokura, H Sawa. Clamp-type pressure cell for full structure determination of molecular single crystals up to 1.5 GPa. REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS. 2005. 76. 7. 073903-1-073903-2
Y Takahashi, T Hasegawa, Y Abe, Y Tokura, K Nishimura, G Saito. Tuning of electron injections for n-type organic transistor based on charge-transfer compounds. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2005. 86. 6. 063504-
Y Takahashi, T Hasegawa, T Akutagawa, T Nakamura. Enhanced dielectric response in (BEDT-TTF) (ClMeTCNQ) at the neutral-ionic phase transitions. JOURNAL DE PHYSIQUE IV. 2004. 114. 137-139
※ J-GLOBALの研究者情報は、
researchmap
の登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、
こちら
をご覧ください。
前のページに戻る
TOP
BOTTOM
