- 2021 - 2025 InリッチInGaNによるScAlMgO4基板上での可視長波長LEDの実現
- 2020 - 2025 発光シンセサイザー:究極の発光デバイス創成を目指して
- 2020 - 2021 ScAlMgO4基板上へのInリッチInGaN系LEDの実現
- 2016 - 2021 近接場分光(SNOM)による特異構造の発光機構解明と制御
- 2016 - 2021 AlGaN系超高効率紫外発光素子の実現に向けたキャリア再結合過程の解明と制御
- 2015 - 2020 窒化物ナノ局在系の物性制御によるテーラーメイド光源の実現
- 2016 - 2018 再利用が可能な基板上での窒化物半導体発光素子の作製
- 2015 - 2016 深紫外近接場分光による超ワイドギャップ半導体の物性解明
- 2009 - 2014 近接場マルチプローブ分光の基盤技術開発
- 2006 - 2011 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
- 2006 - 2010 高In組成InGaNおよび高Al組成AlGaNの輻射・非輻射再結合過程の解明と制
- 2007 - 2009 新規半極性結晶面上での窒化物半導体緑色レーザの開発
- 2006 - 2008 ナノ空間発光ダイナミクス計測の基盤技術開発
- 2003 - 2005 近接場光学法による窒化物半導体ナノ構造の発光機構解明
- 2003 - 2004 超微細ナノドット・ナノロッド・ナノラインの新しい超精密配列制御技術の研究
- 2000 - 2002 ワイドギャップ半導体における非輻射再結合機構の解明
- 1999 - 2000 表面エネルギー変調エピタキシーによる半導体不整合系へテロ構造の作製
- 1998 - 2000 量子ドット閉じこめ励起子分子を用いた発光素子の基礎研究
- 1990 - 2000 II-VI/III-V異族半導体多層構造に関する研究
- 1990 - 2000 Study on II-VI/III-V hetero-valent multilayered structures
- 1999 - 1999 半導体/強磁性体薄膜多層構造による励起子磁気光学効果の創出
- 1999 - 六方晶 GaN の有機金属気相成長
- 1999 - MOVPE of Hexagonal GaN
- 1997 - 1998 原子価不整合系半導体ヘテロ界面の原子層レベル制御とバンド不連続量
- 1995 - 1997 半導体表面光触媒反応による気相成長のダイナミクス
- 1997 - 立方晶GaNの有機金属気相成長
- 1997 - MOVPE of cubic GaN
- 1994 - 1994 異族半導体多層構造の作製と界面物性に関する研究
- 1993 - 1994 紫外光デバイス用II-VI族新混晶半導体の成長に関する研究
- 1993 - 1993 異族半導体AlGaAs-ZnSe新人工多層構造の作製と新物性に関する研究
全件表示