倉井聡

クライサトシ | Kurai Satoshi

所属機関・部署：
職名：大学院担当助教
その他の所属（所属・部署名・職名） (1件)：

山口大学工学部電気電子工学科助教

研究分野 (2件)：結晶工学 , 電気電子材料工学

研究キーワード (1件)：光電子デバイス

競争的資金等の研究課題 (6件)：

2022 - 2026 顕微分光法によるAlGaN混晶半導体の局所発光・欠陥評価と効率低下機構の解明
2019 - 2022 顕微分光法によるIII族窒化物量子井戸構造の転位近傍高エネルギー発光の起源と機能
2016 - 2021 結晶特異構造における励起子多体効果の光物性評価と光機能性探索
2016 - 2019 顕微分光法によるGaInN混晶半導体のポテンシャル障壁の定量解析と高効率化モデル
2013 - 2016 空間分解分光学的見地からのIII族窒化物不均一混晶半導体の発光機構解明

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論文 (96件)：

Narihito Okada, Ryota Hidaka, Taketo Kowaki, Takahiro Saito, Yoshihiro Sugawara, Daisaku Yokoe, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Satoshi Kurai, Yoichi Yamada, et al. Fabrication of high-quality Al-polar and N-polar AlN templates through self-forming tiny-pit layers and polarity inversion. Journal of Applied Physics. 2024. 136. 2. 025705-1-025705-8
Aina Hiyama Zazuli, Taketo Kowaki, Minagi Miyamoto, Koki Hanasaku, Daisuke Inahara, Kai Fujii, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Yoichi Yamada. Electrical Properties of N-Polar GaN/AlGaN/AlN Grown via Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy. physica status solidi (a). 2024. 2400060-1-2400060-7
Taketo Kowaki, Koki Hanasaku, Minagi Miyamoto, Aina Hiyama Zazuli, Daisuke Inahara, Kai Fujii, Taisei Kimoto, Ryosuke Ninoki, Satoshi Kurai, Narihito Okada, et al. Effect of the Twist Crystallinity of N-Polar AlN Underlayer on the Electrical Properties of GaN/AlN Structures. physica status solidi (a). 2024. 2400053-1-2400053-5
Minagi Miyamoto, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Daisuke Inahara, Aina Hiyama Zazuli, Kai Fujii, Taisei Kimoto, Ryosuke Ninoki, Satoshi Kurai, Narihito Okada, et al. Growth Mechanism of N-Polar GaN on Vicinal N-Polar AlN Templates in Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy. physica status solidi (a). 2024. 2400055-1-2400055-6
Kosuke Inai, Ryota Oshimura, Kunio Himeno, Megumi Fujii, Yuta Onishi, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada. Well Number Dependence of Internal Quantum Efficiency in AlGaN Quantum Wells on Low-Dislocation Sputtered AlN Templates. physica status solidi (b). 2024. 2300567-1-2300567-7

MISC (5件)：

田口常正, 倉井聡, 神野雅文. 第1回白色LEDと固体照明国際会議報告. 照明学会誌 = JOURNAL OF THE ILLUMINATING ENGINEERING INSTITUTE OF JAPAN. 2008. 92. 3. 148-154
[Author not found], JINNO Masafumi, KURAI Satoshi. EDITORIAL : Special issue on White LEDs-07 :. Journal of light and visual environment. 2008. 32. 2. 56-57
倉井聡, 作田寛明, 山中良友, 河野裕, 羽柴良和, 田口常正. RF-MBE法によるInGaN薄膜成長とラザフォード後方散乱法による評価. プラズマ応用科学. 2004. 12. 163-166
甲斐荘敬司, 井上孝行, 横畑彰人, 倉井聡, 山田陽一, 田口常正. 高圧溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長. 日本結晶成長学会誌. 2002. 29. 5. 439-444
井上孝行, 関洋二, 小田修, 倉井聡, 山田陽一, 田口常正. 圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長. 日本結晶成長学会誌. 2000. 27. 2. 54-59

書籍 (2件)：

白色LED照明技術のすべて
工業調査会 2009 ISBN:9784769312840
白色LED照明システム技術の応用と将来展望
シーエムシー出版 2003 ISBN:9784781300085

講演・口頭発表等 (457件)：

内部量子効率の異なるAlGaN量子井戸構造におけるキャリア実効拡散長の照射電流依存性
(第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
N極性GaN/AlGaN/AlN高電子移動度トランジスタのリーク電流が絶縁破壊電圧に及ぼす影響
(朱鷺メッセほか2会場&オンライン 2024)
N極性面GaN/AlGaN/AlN HEMTのリーク電流についての考察
(2024年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2024)
N極性面GaN/AlGaN/AlNのV/III比変化が電気特性に及ぼす影響
(2024年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2024)
加工基板上N極性面AlNの結晶成長
(2024年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2024)

学歴 (3件)：

- 1998 徳島大学大学院工学研究科博士後期課程物質工学専攻
1993 - 1995 徳島大学大学院工学研究科博士前期課程電気電子工学専攻
- 1993 徳島大学工学部電気電子工学科

学位 (1件)：

博士(工学) (その他)

経歴 (3件)：

2016/04 - 現在山口大学大学院創成科学研究科(工学) 大学院担当助教
2007/04 - 2016/03 山口大学大学院理工学研究科(工学) 大学院担当助教
1998/04 - 2007/03 山口大学工学部助手

委員歴 (10件)：

2008/10/24 - 2011/03/31 照明学会 LS委員会幹事
2008/09/12 - 2010/08/31 照明学会白色LED国際会議委員会幹事
2008 - 2009 The Second International Conference on White LEDs and Solid State Lighing, Technical Program Committee
2008 - 2009 第2回白色LEDと固体照明国際会議プログラム委員
2006/10/26 - 2008/05/31 照明学会白色LED照明システム応用技術特別委員会幹事

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受賞 (2件)：

2008/08 - 照明学会平成20年度照明学会研究奨励賞
2002/03 - プラズマ応用科学会プラズマ応用科学会論文賞

所属学会 (1件)：

応用物理学会

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