研究者
J-GLOBAL ID:200901028745319041
更新日: 2020年08月25日
木下 彬
キノシタ アキラ | Kinoshita Akira
所属機関・部署:
旧所属 東京電機大学 理工学部 理学系
旧所属 東京電機大学 理工学部 理学系 について
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職名:
教授
研究分野 (2件):
電気電子材料工学
, 半導体、光物性、原子物理
競争的資金等の研究課題 (2件):
陽極化成シリコン中のメゾスコピックサイズの孔と骨格構造の設計
Design of mesoscopic pore and skeleton structurures in anodized silicon
MISC (9件):
Akira Motohashi, Masatoshi Ruike, Manabu Kawakami, Hidekazu Aoyagi, Akira Kinoshita, Akinobu Satou. Identification of water molecules in low humidity and possibility of quantitative gas analysis using porous silicon gas sensor (共著). Jpn. J. Appl. Phys. 1996. 35. 8. 4253-4256
Pore structure of porous silicon formed on a lightly doped crystal silicon (共著). Langmuir,. 1996. 12. 20. 4828-4831
Positron/positronium annilhilation in low dimensional silicon materials (共著). Applied Surface Science. 1996. 102. 423-426
陽極化成シリコン中の多孔質構造体の分域化 (共著). 電子情報通信学会論文誌. 1995. J78-C-(]G0002[). 4. 135-141
Positron annihilation study no nanometer cavities in porous silicom (共著). Hyperfine Interactions. 1994. 84. 121-126
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学歴 (4件):
- 1966 東京電機大学 工学研究科 電気工学
- 1966 東京電機大学
- 1963 東京電機大学 工学部 電子工学
- 1963 東京電機大学
学位 (1件):
博士(工学)
所属学会 (5件):
日本化学会
, 電子情報通信学会
, The American Physical Society
, 日本物理学会
, 応用物理学会
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