- 2023 - 2028 ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却
- 2023 - 2026 ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却
- 2022 - 2025 遠紫外線C波AlGaN系電子線励起レーザ
- 2021 - 2025 高効率・長寿命深紫外LEDの技術開発と細菌・ウイルス不活化および脱炭素効果の実証
- 2016 - 2023 国際活動支援班
- 2019 - 2023 蛍光バイオイメージング用小型光源をめざした超短パルス半導体レーザの要素技術開発
- 2016 - 2021 多次元・マルチスケール特異構造の作製と作製機構の解明
- 2015 - 2020 ヘテロエピタキシャル成長プラットホーム実現に関する基礎的検討
- 2016 - 2018 AlGaN系半導体を用いた真空チャンネルトランジスタに関する研究
- 2015 - 2018 電子線励起・深紫外窒化物半導体レーザ
- 2014 - 2017 ワイドギャップ半導体における正孔注入手法の革新と新規発光素子への展開
- 2012 - 2014 可視光通信のための超高速発光・受光デバイスの実証
- 2011 - 2013 ワイドギャップ半導体トンネル接合による新規電流注入構造の実現
- 2010 - 2013 窒化物半導体国際共同研究
- 2010 - 2013 Si集積回路の限界打破のための結晶成長からのアプローチ
- 2013 - 低コスト高効率LED用モスアイ加工サファイア基板の開発
- 2011 - 2012 蛍光SiCを用いた高性能白色LEDの開発
- 2011 - 2012 高効率光・パワーデバイス部材の開発「低消費電力高輝度高演色性LED、環境対応モニタリング用センサーの開発」
- 2011 - 2011 OU、Haiyan
- 2009 - 2010 高効率ポーラスSiC蛍光基板の開発
- 2006 - 2010 ワットクラス超高出力紫外レーザダイオードの実現
- 2006 - 2008 光制御のための半導体ナノ構造作製
- 2005 - 2005 紫外発光ダイオードを用いた皮膚病治療システム
- 2003 - 2005 超ワイドギャップAlN系半導体の超高温エピタキシャル成長による低転位化とデバイス
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