研究者
J-GLOBAL ID:200901032756416682   更新日: 2020年07月13日

中村 芳明

ナカムラ ヨシアキ | Nakamura Yoshiaki
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (1件): http://www.adv.ee.es.osaka-u.ac.jp/
研究分野 (4件): ナノ材料科学 ,  ナノ構造物理 ,  ナノ構造化学 ,  薄膜、表面界面物性
研究キーワード (4件): シリサイド ,  ゲルマニウム ,  シリコン ,  量子ドット
競争的資金等の研究課題 (8件):
  • 2009 - 超高密度金属酸化物ナノドットを用いたメモリ開発
  • 2008 - ヘテロナノドットを用いた極少転位へテロエピタキシャルシー
  • 2007 - 自己組織化による人工原子配列技術の開発
  • 2003 - 極薄Si酸化膜上の超高密度βFeSi2ナノドットによる光学素子開発
  • 2002 - 極薄Si,Ge酸化膜上の超高密度SiGe系半導体ナノドットによる光学素子開発
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論文 (82件):
  • Tatsuhiko Taniguchi, Takafumi Ishibe, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, Yoshiaki Nakamura. High Thermoelectric Power Factor Realization in Si-Rich SiGe/Si Superlattices by Super-Controlled Interfaces. ACS Applied Materials & Interfaces. 2020
  • Takafumi Ishibe, Yuto Uematsu, Nobuyasu Naruse, Yutaka Mera, Yoshiaki Nakamura. Impact of metal silicide nanocrystals on the resistance ratio in resistive switching of epitaxial Fe3O4 films on Si substrates. Applied Physics Letters. 2020. 116. 181601
  • T. Ishibe, Y. Maeda, T. Terada, N. Naruse, Y. Mera, E. Kobayashi, Y. Nakamura. Resistive switching memory performance in oxide hetero-nanocrystals with well-controlled interfaces. Science and Technology of Advanced Materials. 2020. 21. 195-204
  • Y. Shimanuki, K. Kudo, T. Ishibe, A. Masago, S. Yamada, Y. Nakamura, and K. Hamaya. Thermoelectric properties of single-phase full-Heusler alloy Fe2TiSi films with D03-type disordering. Journal of Applied Physics. 2020. 127. 055106
  • Shunya Sakane, Takafumi Ishibe, Tatsuhiko Taniguchi, Takahiro Hinakawa, Ryoya Hosoda, Kosei Mizuta, Md. Mahfuz Alam, Kentarou Sawano, and Yoshiaki Nakamura. Nanostructural effect on thermoelectric properties in Si films containing iron silicide nanodots. Japanese Journal of Applied Physics. 2020. 59. SFFB01-1-1-05
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MISC (11件):
  • 坂根駿也, 石部貴史, 藤田武志, 池内賢朗, 鎌倉良成, 森伸也, 中村芳明. SiGeナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力因子の増大. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2019. 66th. ROMBUNNO.9p-W371-8
  • 雛川貴弘, 坂根駿也, 石部貴史, 藤田武志, 藤田武志, 中村芳明, 中村芳明. Si基板上に形成した擬ギャップε-CoSi薄膜の熱電性能評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2019. 66th. ROMBUNNO.11p-W834-13
  • 坂根駿也, 柏野真人, 渡辺健太郎, 鎌倉良成, 鎌倉良成, 森伸也, 森伸也, 藤田武志, 藤田武志, 中村芳明, 中村芳明. Au添加SiGeバルク熱電材料の構造とその高出力因子. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 79th. ROMBUNNO.21a-438-7
  • 谷口達彦, 奥畑亮, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, ALAM Md. Mahfuz, 澤野憲太郎, 藤田武志, 藤田武志, 中村芳明, 中村芳明. 組成制御によるSiGe/Si超格子の出力因子増大. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2017. 78th. ROMBUNNO.5p-A503-4
  • 坂根駿也, 渡辺健太郎, 渡辺健太郎, 藤田武志, 藤田武志, ALAM Md. Mahfuz, 澤野憲太郎, 中村芳明, 中村芳明. ナノドット含有Si薄膜の熱電特性に与える熱処理の影響. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2017. 78th. ROMBUNNO.5p-A503-5
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書籍 (5件):
  • サーマルデバイス 新素材・新技術による熱の高度制御と高効率利用
    NTS 2019 ISBN:4860436024
  • フォノンエンジニアリング~マイクロ・ナノスケールの次世代熱制御技術~
    (株)エヌ・ティー・エス 2017 ISBN:9784860435097
  • シリサイド系半導体ナノ構造 (3.7節)
    裳華房 2014 ISBN:9784785329204
  • シリサイド系半導体ナノ構造 (3.7節)
    裳華房 2014 ISBN:9784785329204
  • Formation of Ultrahigh Density Quantum Dots Epitaxially Grown on Si Substrates Using Ultrathin SiO2 Film Technique, STATE-OF-THE-ART OF QUANTUM DOT SYSTEM FABRICATIONS, CAPTER 6, jointly worked
    INTECH 2012 ISBN:9789535106494
講演・口頭発表等 (76件):
  • (Invited) Nanoarchitecture design for independent control of carrier and phonon transports
    (2016)
  • Nanostructure driven defect control in GaN grown by the Na flux method
    (2016)
  • Epitaxial growth of iron oxide nanodots on Si substrate using Fe-coated Ge nuclei
    (2015)
  • Observation of covering epitaxial β-FeSi2 nanodots with Si for fabricating Si/β-FeSi2 nanodots stacked structures
    (2015)
  • Thermal conductivity reduction in the Si nanoarchitecture including epitaxial nanodots
    (2015)
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学歴 (4件):
  • 1999 - 2002 東京大学 大学院工学系研究科 物理工学専攻 博士課程
  • 1997 - 1999 東京大学 大学院工学系研究科 物理工学専攻 修士課程
  • 1995 - 1997 東京大学 工学部 物理工学科
  • 1993 - 1995 東京大学 理科一類
学位 (2件):
  • 工学博士 (東京大学)
  • 修士 (東京大学)
受賞 (2件):
  • 2006 - 第20回応用物理学会講演奨励賞
  • 2002 - Graduate Student Award at the DIET9 Confereaces
所属学会 (6件):
The Surface Society of Japan ,  The Physical Society of Japan ,  The Japan Society of Applied Physics ,  日本表面科学会 ,  応用物理学会 ,  日本物理学会
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