研究者

J-GLOBAL ID：200901032847091743 更新日: 2019年01月26日

牟田浩司

ムタヒロシ | MUTA Hiroshi

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (1件)：プラズマエレクトロニクス

研究キーワード (5件)：プラズマCVD , 薄膜シリコン太陽電池 , 電磁波 , ECRプラズマ , 電磁界シミュレーション

競争的資金等の研究課題 (5件)：

2013 - 2016 超音速噴流を用いたVHFプラズマによる高速大面積微結晶シリコン製膜法の開発
2008 - 2011 狭ギャップ高圧VHFプラズマを用いた微結晶シリコン薄膜作製
2002 - 2003 低温プラズマ表面修飾技術による酸化チタン微粒子の環境浄化機能の改善に関する研究
1998 - 2000 ECRプラズマ中の電子速度分布関数と成膜の再現性に関する研究
2007 - 2010 中性粒子風と渦の極性反転

論文 (5件)：

S. Nishida, H. Muta, S. Kuribayashi. Effect of Gas Flow Rate on the High-Rate. Localized Jet-Deposition of Silicon in SiH4/H2 PE-CVD. Journal of Chemical Engineering of Japan. 2014. 47. 478-482
T. Yamane, S. Nakano, S. Nakao, Y. Takeuchi, R. Ichiki, H. Muta, K. Uchino, Y. Kawai. Estimation of Negative Ions in VHF SiH4/H2 Plasma. Japanese Journal of Applied Physics. 2014. 53. 116101-1-116101-4
S. Kuribayashi, Y. Tsunekawa, S. Akahori, D. Ando, J. Nakamura, S. Nishida, H. Muta, Y. Takeuchi, Y. Yamauchi, H. Takatsuka. Effect of VHF Excitation Frequency on Localized Deposition of Silicon in Non Equilibrium-plasma-enhanced CVD by an Under Expanded Supersonic Jet. Surface & Coatings Technology. 2013. 225. 75-78
T. Yamane, S. Nakao, Y. Takeuchi, Y. Yamauchi, H. Takatsuka, H. Muta, K. Uchino, Y. Kawai. VHF SiH4/H2 Plasma Characteristics With Negative Ions. Surface & Coatings Technology. 2013. 228. S433-S436
T. Yamane, S. Nakao, Y. Takeuchi, H. Muta, R. Ichiki, K. Uchino, Y. Kawai. Measurements of SiH4/H2 VHF Plasma Parameters with Heated Langmuir Probe. Contributions to Plasma Physics. 2013. 53. 588-591

MISC (11件)：

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書籍 (1件)：

プラズマCVDにおける成膜条件の最適化に向けた反応機構の理解とプロセス制御・成膜事例
サイエンス&テクノロジー 2018

学位 (1件)：

博士(工学) (九州大学)

経歴 (1件)：

2015/04 - 現在近畿大学産業理工学部教授

委員歴 (1件)：

2002 - プラズマ・核融合学会広報委員

受賞 (1件)：

1986 - 電気関係学会九州支部連合大会発表賞

所属学会 (3件)：

応用物理学会 , 電気学会 , プラズマ・核融合学会

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