研究者
J-GLOBAL ID：200901033798392399
更新日: 2022年09月19日
須田 淳
スダ ジュン | Suda Jun
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所属機関・部署：
京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻
京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻 について
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職名：
准教授
ホームページURL (2件)：
http://www.kuee.kyoto-u.ac.jp/~suda/
,
http://semicon.kuee.kyoto-u.ac.jp/
研究分野 (4件)：
電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
, 結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (5件)：
Surface
, Device
, MBE
, Widebandgap
, Nitride
競争的資金等の研究課題 (6件)：
ZnSe系ワイドギャップ半導体の結晶成長と励起子光物性の解明
SiC半導体のハイパワーデバイス実現のための研究
GaN系ワイドギャップ半導体の結晶成長と電子デバイスへの応用
Growth of ZnSe-based semiconductors and excitonic properties
Development of SiC high-power devices
Growth of GaN-based semiconductors and its applications to electronic devices
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論文 (191件)：
Jun Suda. Investigation of anharmonicity in rotational phonon mode for BaWO4 crystal. VIBRATIONAL SPECTROSCOPY. 2014. 72. 33-36
Masahiro Horita, Masato Noborio, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda. 4H-SiC MISFETs With 4H-AlN Gate Insulator Isopolytypically Grown on 4H-SiC (11(2)over-bar0). IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2014. 35. 3. 339-341
Jun Suda, Petr G. Zverev. Investigation of the phonon band gap effect on Raman-active optical phonons in SrMoO4 crystal. VIBRATIONAL SPECTROSCOPY. 2014. 71. 6-11
Chihiro Kawahara, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto. Identification of dislocations in 4H-SiC epitaxial layers and substrates using photoluminescence imaging. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2014. 53. 2
Naoya Morioka, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto. Etching-limiting process and origin of loading effects in silicon etching with hydrogen chloride gas. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2014. 53. 1
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MISC (39件)：
須田 淳, 木本 恒暢. CT-2-3 SiCパワーデバイス技術(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画). 電子情報通信学会総合大会講演論文集. 2012. 2012. 2. "SS-22"-"SS-24"
Seigo Mori, Naoya Morioka, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto. Orientation and size effects on ballistic electron transport properties in gate-all-around rectangular germanium nanowire FETs. 2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2012. 2012
Hiroki Niwa, Gan Feng, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto. Breakdown Characteristics of 12-20 kV-class 4H-SiC PiN Diodes with Improved Junction Termination Structures. 2012 24TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD). 2012. 381-384
Naoki Watanabe, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda. Fabrication of Electrostatic-actuated Single-crystalline 4H-SiC Bridge Structures by Photoelectrochemical Etching. MICROMACHINING AND MICROFABRICATION PROCESS TECHNOLOGY XVI. 2011. 7926
Naoki Watanabe, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda. Thermo-optic Coefficients of SiC, GaN, and AlN up to 512 degrees C from Infrared to Ultraviolet Region for Tunable Filter Applications. MICROMACHINING AND MICROFABRICATION PROCESS TECHNOLOGY XVI. 2011. 7926
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Works (1件)：
JSTさきがけタイプ「ナノと物性」
2002 - 2004
学歴 (4件)：
- 1997 京都大学 工学研究科 電気工学専攻
- 1997 京都大学
- 1992 京都大学 工学部 電気工学科
- 1992 京都大学
学位 (1件)：
博士(工学) (京都大学)
受賞 (2件)：
2003 - 第33回結晶成長国内会議日本結晶成長学会講演奨励賞
1998 - 第5回応用物理学会講演奨励賞
所属学会 (4件)：
MATERIALS RESEARCH SOCIETY
, 日本MRS
, 電子情報通信学会
, 応用物理学会
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