研究者
J-GLOBAL ID:200901037614457910   更新日: 2008年07月29日

林 幸裕

ハヤシ ユキヒロ | Hayashi Yukihiro
所属機関・部署:
職名: 研究員
研究分野 (1件): 電子デバイス、電子機器
研究キーワード (8件): 信頼性 ,  環境試験 ,  はんだ ,  電子機器 ,  Reliability ,  Emvironment test ,  Solder ,  Electronic equipment
競争的資金等の研究課題 (2件):
  • 鉛フリーはんだの接続信頼性
  • Connection reliability of Pb-free solder
MISC (10件):
  • Y. Hayashi, A. Sakai, H. Ikeda, S. Zaima and Y. Yasuda, Surface and Interface Smoothing of Epitaxial CoSi2 Films by Solid-Phase Epitaxy Using Adsorbed Oxygen Layers and Two-Step Growth on Si(001) Surfaces. Japanese Journal of Applied Physics. 2003. Vol. 42 pp. 7039-7044
  • Y. Hayashi, T. Katoh, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima and Y. Yasuda Application of a two-step Growth to the formation of epitaxial CoSi2 films on Si(001) surfaces:Comparative study using Reactive deposition epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics. 2001. Vol. 40 269-275
  • Y. Hayashi, T. Katoh, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima and Y. Yasuda Application of a two-step Growth to the formation of epitaxial CoSi2 films on Si(001) surfaces:Comparative study using Reactive deposition epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics. 2001. Vol. 40 269-275
  • Y. Hayashi, Y. Matsuoka, T. Katoh, H. Ikegami, H. Ikeda, S. Zaima and Y. Yasuda, A new growth method of epitaxial cobalt disilicide on Si(100),. Advanced Metalization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1997 (Materials Research Society, Warrendale, PA, 1998) pp.663-668
  • Y. Hayashi, Y. Matsuoka, H. Ikeda, S. Zaima and Y. Yasuda, Effects of initial surface states on formation processes of epitaxial CoSi2(100) on Si(100). Thin Solid Films 343-344 (1999) 562-566
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学位 (2件):
  • 修士
  • 博士(工学) (名古屋大学)
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