研究者

J-GLOBAL ID：200901040446671898 更新日: 2020年04月26日

飯川裕文

イイカワヒロフミ | Iikawa Hirofumi

所属機関・部署：
職名：その他
ホームページURL (1件)： http://tokachi.riast.osakafu-u.ac.jp/%7Esentan3/home.html

研究キーワード (1件)：半導体Si結晶/SIMOX/SiC/電子-光融合デバイス

競争的資金等の研究課題 (3件)：

SOI基板Si層のSiC層への変性とその成長
Si(111)によるSIMOX基板の作製と評価
-

MISC (2件)：

H. Iikawa, M, Nakao K. Izumi. Dose-Window Dependence on Si Crystal Orientation in SIMOX Substrate Formation. Journal of Materials Research, 19, pp.3607-3613 (2004). 2004
H Iikawa, M Nakao, B Gruska, K Izumi. High-precision analysis of oxygen depth profile in O-16(+)-implanted silicon substrates by spectroscopic ellipsometry. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY. 2004. 151. 5. G373-G376

学歴 (1件)：

- 2001 静岡理工科大学

受賞 (2件)：

2004 - Best Student Award(IEEE EDS Kansai Chapter )
2004 - 応用物理学会講演奨励賞(応用物理学会)

所属学会 (1件)：

応用物理学会

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