研究者
J-GLOBAL ID:200901041447156292   更新日: 2001年12月10日

武藤 八三

ムトウ ハチゾウ | Muto Hachizo
所属機関・部署:
職名: 主任研究員 (岐阜大院併任教授)
研究キーワード (14件): 素励起結合素子 ワイドギャップ半導体 ,  スピンバブル素子 ,  巨大磁気抵抗効果 ,  強磁性体 ,  ジョゼフソン素子 ,  超伝導体 ,  強電子相間 ,  界面制御 ,  電子スピン共鳴・ 強磁性共鳴 ,  真空紫外線レーザ ,  YAGパルスレーザ蒸着技術 ,  薄膜積層化技術 ,  ナノ薄膜 ,  エピタキシャル薄膜
競争的資金等の研究課題 (1件):
  • パルスレーザ蒸着法による結晶薄膜の積層素子化技術
MISC (8件):
もっと見る
特許 (4件):
学歴 (4件):
  • 金沢大学
  • 金沢大学大学院理学研究科
  • 金沢大学
  • 会津大学 コンピュータ理工学研究科
学位 (1件):
  • 理学博士
経歴 (5件):
  • 1999/04 - 岐阜大学院工学院工学研究科 教授に併任
  • 1983/04 - 主任研究管(現5級)
  • 1978 - 1979 年 米国アラバア大学へ博士研究員留学
  • 1978/04 - 主任研究管(現3級)
  • 1968/04 - 名古屋工業技術試験所(現研究所) 入所 研究員
受賞 (3件):
  • 共鳴(ESR)測定方法及びその装置開発と結晶薄膜作製技術の開発」
  • 「無機先端材料の量子電磁気物性評価用の新規な電子スピン
  • 1998年 工業技術院長賞
所属学会 (4件):
日本放射線化学会 ,  日本化学会 ,  日本応用物理学会 ,  EPR学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る