研究者
J-GLOBAL ID：200901041447156292   更新日: 2020年08月29日

武藤 八三

ムトウ ハチゾウ | Muto Hachizo
所属機関・部署：
独立行政法人産業技術総合研究所 中部センター 基礎素材研究部門 環境応答機能薄膜研究グループ

独立行政法人産業技術総合研究所 中部センター 基礎素材研究部門 環境応答機能薄膜研究グループ について


職名： 主任研究員 (岐阜大院併任教授)
研究キーワード (31件)： 素励起結合素子 ワイドギャップ半導体 ,  スピンバブル素子 ,  巨大磁気抵抗効果 ,  強磁性体 ,  ジョゼフソン素子 ,  超伝導体 ,  強電子相間 ,  界面制御 ,  電子スピン共鳴・ 強磁性共鳴 ,  真空紫外線レーザ ,  YAGパルスレーザ蒸着技術 ,  薄膜積層化技術 ,  ナノ薄膜 ,  エピタキシャル薄膜 ,  Wide gap semiconductor ,  Excitation coupled Device ,  Spin-valve Device ,  Giant Magneto-Resistance ,  Ferromagnetic Material ,  Josephson junction ,  superconductor ,  strong electronic correlation ,  bounary control ,  ESR・FMR ,  Ferromagnetic Resonance ,  Electron Spin Resonance ,  vaccum ultra violet laser ,  YAG pulsed laser ablation ,  multi-layered film ,  nano-film ,  epitaxy
競争的資金等の研究課題 (1件)：
  • パルスレーザ蒸着法による結晶薄膜の積層素子化技術
MISC (15件)：
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特許 (5件)：
学歴 (4件)：
  • 金沢大学
  • 金沢大学大学院理学研究科
  • 金沢大学
  • 会津大学 コンピュータ理工学研究科
学位 (1件)：
  • 理学博士
経歴 (12件)：
  • 1999/04 - 岐阜大学院工学院工学研究科 教授に併任
  • 1999 - Professor (as additional post),Graduate School
  • 1983/04 - 主任研究管(現5級)
  • 1983 - Senior researcher of NIRIN(first grade)
  • 1978 - 1979 年 米国アラバア大学へ博士研究員留学
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受賞 (9件)：
  • 共鳴(ESR)測定方法及びその装置開発と結晶薄膜作製技術の開発」
  • 「無機先端材料の量子電磁気物性評価用の新規な電子スピン
  • 1998年 工業技術院長賞
  • of crystalline thin films"
  • of advanced materials and fabrication technique
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所属学会 (8件)：
日本放射線化学会 ,  日本化学会 ,  日本応用物理学会 ,  EPR学会 ,  The Japan Society of Applied Physics ,  Japanese Society of Radiation Chemistry ,  International EPR Society ,  Chemical Society of Japan
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