研究者
J-GLOBAL ID:200901047848191536
更新日: 2024年12月18日
坂田 博
サカタ ヒロシ | Sakata Hiroshi
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所属機関・部署:
愛媛大学 大学院理工学研究科 電子情報工学専攻
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職名:
准教授
研究分野 (1件):
電力工学
研究キーワード (4件):
パワーデバイス
, パワエレクトロニクス
, Power Device
, Power Electronics
競争的資金等の研究課題 (3件):
2000 - 直流送電用コンバータ回路の動作のシミュレーション
1990 - 有限要素法による電力用半導体の数値解析
1990 - Numerical Analysis of Power Semiconductor Devices using Finite Element Method
MISC (37件):
Device Simulation of SiC-GTO. Proc. of PCC-OsakaProc. of PCC-Osaka. 2002. 1
Device Simulation of SiC-GTO. Proc. of PCC-OsakaProc. of PCC-Osaka. 2002. 1
The Inner Phenomena of Hard Driven GTO Using 2-Dimensional FEM Simulation. Proc. of IPEMC-Beijing. 2000
The Improvement of Turn-off Characteristics of GTO Thyristor. Proc.of IPEC-Tokyo 2000. 2000. 1. 773-778
The Inner Phenomena of Hard Driven GTO Using 2-Dimensional FEM Simulation. Proc. of IPEMC-Beijing. 2000
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書籍 (2件):
パワーエレクトロニクス
オーム社 2006
マイクロコンピュータ制御システムの設計
産報出版産報出版 1979
Works (3件):
サイリスタによる交流制御
2007 -
GTO デバイスのシミュレーション
1996 - 1996
Simulation of GTO Device
1996 - 1996
学位 (1件):
博士(工学) (東京大学)
経歴 (1件):
1973 - 1977 関西電力
委員歴 (1件):
2007 - 2009 電気学会 四国支部代表評議員
受賞 (1件):
1998 - 日本シミュレーション学会 論文賞
所属学会 (4件):
電気学会
, 米国電気電子学会(THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS,INC.)
, 日本シミュレーション学会
, パワーエレクトロニクス学会
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