研究者
J-GLOBAL ID:200901051281342144   更新日: 2022年07月15日

中村 厚信

Nakamura Atsunobu
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (2件): 磁性、超伝導、強相関系 ,  半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (1件): 電子物性
競争的資金等の研究課題 (2件):
  • 2006 - 2007 半導体微小領域におけるトンネル現象と電子間相互作用の研究
  • 2002 - 2003 量子磁性細線における電子輸送現象への磁壁の影響に関する理論的研究
論文 (22件):
特許 (1件):
講演・口頭発表等 (39件):
  • 異種金属界面に発生する表面プラズモンに関する研究
    (令和元年度 電気関係学会四国支部連合大会 2019)
  • 2次元フォトニック結晶中の光伝搬に対する境界凹凸の影響
    (電気関係学会四国支部連合大会 2015)
  • フォトニック結晶の透過及び反射に対するウムクラップ散乱の影響
    (電子情報通信学会 2015年総合大会 2015)
  • Effects of Obstacle on Electron Transport in Quantum Wire
    (3rd International Symposium on Technology Sustainability Engineering Discipline 2013)
  • 強磁性金属表面上の微小磁性体におけるスピン配向と磁気励起
    (日本物理学会 2008)
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学歴 (3件):
  • 1986 - 1989 大阪大学大学院 工学研究科博士後期課程 応用物理学専攻
  • 1984 - 1986 大阪大学大学院 工学研究科博士前期課程 応用物理学専攻
  • 1980 - 1984 大阪大学 工学部 応用物理学科
所属学会 (2件):
電子情報通信学会 ,  日本物理学会
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