研究者
J-GLOBAL ID:200901052093888357
更新日: 2022年12月01日
清水 耕作
シミズ コウサク | SHIMIZU kousaku
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所属機関・部署:
日本大学 生産工学部 電気電子工学科
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職名:
教授
ホームページURL (1件):
http://shimizu-lab.ee.cit.nihon-u.ac.jp/index.html
研究分野 (2件):
無機材料、物性
, 電子デバイス、電子機器
研究キーワード (12件):
光学評価
, 酸化物半導体
, 流体力学
, 化学反応
, 化学堆積法
, 薄膜デバイス
, トランジスタ
, デバイス
, ゲルマニウム
, シリコン
, 多結晶シリコン系薄膜
, 半導体
論文 (13件):
T. Inaba, Y. Watabe, K. Oshima, C. Wang, S. Ohashi, H. Song, H. Matsuyama, T. Nagata, T. Hashimoto, K. Takase, et al. Electric and Magnetic Properties of BiFe1-xMnxO3 Thin Films and CaFeOx/BiFe1-xMnxO3 Superlatticies. Trans. Mat. Res. Soc. Japan. 2016. 41. 3. 263-267
Masatoshi Wakagi, Yoshiki Yonamoto, Kiyoshi Ogata, Kousaku Shimizu, Jun-ichi Hanna. EXAFS study on poly-Si1-xGex films prepared by reactive thermal CVD method. Journal of Non-Crystalline Solids. 2006. 2006. 352. 3191-3195
Jeong-woo Lee, Kousaku Shimizu and Jun-ichi Hanna. Deposition and Characterization of Polycrystalline Silicon Thin Films by Reactive Thermal CVD at 450oC. Solid State Phoenomena. 2004. 93. 281-286
Jeong-woo Lee, Kousaku Shimizu, Jun-ichi Hanna. Deposition and Characterization of Polycrystalline Silicon Thin Films by Reactive Thermal CVD at 450oC. Solid State Phoenomena. 2004. 93. 281-286
Kousaku Shimizu, Noriyoshi Kohama, Tadaaki Tani and Jun-ichi Hanna. Post hydrogenation effect by hot wire method on poly-crystalline silicon based devices. J. Non-Cryst. Sol. 2004. 338-240. 403-407
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書籍 (3件):
波長変換用蛍光体材料
シーエムシー出版 2012 ISBN:9784781305851
低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発 -システムオンパネルをめざして -
シーエムシー出版 2007
低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発-システムオンパネルをめざして -
シーエムシー出版 2007
講演・口頭発表等 (115件):
H-W法による原子状酸素処理の非晶質In-Sn-Zn-O薄膜トランジスタへの信頼性評価
(薄膜材料デバイス研究会 2022)
p型二硫化モリブデンTFTの原子状酸素処理及びアニール処理による特性改善
(薄膜材料デバイス研究会 2022)
原子状水素によるMg2Siの熱電性能向上化について
(日本大学生産工学部学術講演会 2021)
原子状水素化処理、酸素プラズマ処理による酸化物半導体のギャップ内準位の変化
(第16回 薄膜材料デバイス研究会@響都ホール 2019)
IPES/PYS及びKP法を用いたヘテロジャンクション特性の評価
(第16回 薄膜材料デバイス研究会@響都ホール 2019)
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所属学会 (1件):
応用物理学会
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