研究者
J-GLOBAL ID:200901053575732601   更新日: 2024年09月19日

宮崎 誠一

MIYAZAKI SEIICHI
研究キーワード (8件): 半導体ナノ構造 ,  量子ドット ,  High-k/メタルゲート ,  薄膜太陽電池 ,  薄膜トランジスタ ,  抵抗変化メモリ ,  フローティングゲートメモリデバイス ,  極微細MOSトランジスタ
競争的資金等の研究課題 (15件):
  • 2021 - 2024 ハイブリッドスーパーアトム創成による量子物性制御と新機能デバイス開発
  • 2015 - 2019 Si-Ge系スーパーアトム構造のセルフアライン集積による光・電子物性制御
  • 2015 - 2016 磁性合金ナノドットハイブリッド集積によるスピン物性制御と新機能メモリ応用
  • 2012 - 2015 シリコン系スーパーアトムの超高密度配列と量子物性制御
  • 2009 - 2012 Ge-Si系量子ドットの自己整合複合集積による物性制御とエレクトロルミネッセンス
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論文 (182件):
  • K. Makihara, Y. Yamamoto, H. Yagi, L. Li, N. Taoka, B. Tillack, S. Miyazaki. Electron emission from alignment-controlled multiple stacks of SiGe nanodots embedded in Si structures. Mat. Sci. in Semiconductor Processing. 2024. 174. 108227 (5 pages)
  • J. Baek, Y. Imai, R. Tsuji, K. Makihara, S. Miyazaki. Self-assembling mechanism of Si-QDs on thermally-grown SiO2. Jpn. J. Appl. Phys. 2024. Accepted Manuscript online 4 March 2024
  • Self-assembling formation of Si-QDs on SiO2 line patterns. 2024. 63. 3. 03SP04 (4 pages)
  • Saito, H, Makihara, K, Taoka, N, Miyazaki, S. Formation of β-FeSi2 nanodots by SiH4 exposure to Fe nanodots. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2024. 63. 2. 02SP99 (4 pages)
  • Formation of ultra-thin nickel silicide on SiO2 using Si/Ni/Si structures for oxidation control. Jpn. J. Appl. Phys. 2024. 63. 2. 02SP72 (5 pages)
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MISC (96件):
  • Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Fujimura Nobuyuki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi. Total photoelectron yield spectroscopy of energy distribution of electronic states density at GaN surface and SiO2/GaN interface. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2018. 57. 6S3. 06KA08 (6 pages)
  • Nguyen Xuan Truyen, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Makihara Katsunori, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi. Interface properties of SiO2/GaN structures formed by chemical vapor deposition with remote oxygen plasma mixed with Ar or He. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2018. 57. 6S3. 06KA01 (7 pages)
  • Ohta Akio, Kato Yusuke, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi. Evaluation of resistive switching properties of Si-rich oxide embedded with Ti nanodots by applying constant voltage and current. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2018. 57. 6S1. 06HD05 (4 pages)
  • Yamamoto Taishi, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi. Low-temperature formation of Ga-oxide/GaN interface with remote oxygen plasma and its interface properties. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2018. 57. 6S2. 06JE01 (5 pages)
  • Yamamoto Taishi, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Nakatsuka Osamu, Shimizu Mitsuaki, et al. Energy band structure and electrical properties of Ga-oxide/GaN interface formed by remote oxygen plasma. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2018. 57. 6S3. 06KA05 (5 pages)
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特許 (16件):
  • 半導体薄膜およびその製造方法
  • 窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置
  • 酸化ゲルマニウムの製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法
  • プラズマ装置および結晶製造方法
  • 窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置
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書籍 (12件):
  • 化学便覧 第7版 応用化学編
    日本化学会編,丸善出版(株) 2014
  • 薄膜工学(第2版)分担執筆 第2章3節「化学気相成長法」
    丸善出版 2011
  • マイクロ・ナノ領域の超精密技術第3章2節「半導体デバイス」ISi系(極微細化の観点を中心にして)
    オーム社 2011
  • プラズマ・核融合学会誌 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化,「講座 熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス 3.結晶化・相変化制御への応用」
    2009
  • 次世代半導体メモリの最新技術 第6章分担執筆:「シリコン系ナノ構造集積と機能メモリデバイス開発」
    シーエムシー出版 2009
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講演・口頭発表等 (883件):
  • GeコアSi量子ドットを内包したマイクロディスクの形成と発光特性評価
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • Feシリサイドコア/Siシェル量子ドットの形成と発光特性
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • SiO2ラインパターン上へのSi量子ドットの自己組織化形成-ラインおよびスペース幅依存性
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • Ni超薄膜へのSiH 4照射によるシリサイド化反応制御
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • Impacts of Surface Oxidation on Surface Morphology and Silicidation Reaction in Si/Ni/Si Structures Formed on SiO2
    (16th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 17th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science / 13th Asia-Pacific International Symposium on the Basics and Applications of Plasma Technology (ISPlasma 2024 / IC-PLANTS 2024 /APSPT-13 ) 2024)
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学位 (1件):
  • 工学博士 (広島大学)
経歴 (14件):
  • 2009/09 - 現在 公益社団法人 応用物理学会 フェロー フェロー
  • 2021/04 - 2024/03 名古屋大学 大学院工学研究科(兼務) 部長(学部長・研究科長)
  • 2017/05 - 2024/03 産業技術総合研究所 窒化物半導体先進デバイスOIL(兼務) 客員研究員
  • 2017/04 - 2024/03 名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター(兼務) 教授
  • 2010/08 - 2024/03 広島大学 ナノデバイス研究所(兼務) 客員教授
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委員歴 (133件):
  • 2020/07 - 現在 Nanomaterials, Editorial Board Member 学術雑誌編集委員
  • 2020/06 - 現在 独立行政法人 日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会 委員
  • 2019/04 - 現在 公益社団法人 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 顧問
  • 2018/05 - 現在 公益社団法人 日本表面真空学会 中部支部 役員
  • 2015 - 現在 公益社団法人 応用物理学会 学術教育・奨励基金委員会 委員
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受賞 (6件):
  • 2011/03 - ISPlasma2012 Organizing Committee Chair ISPlasma2012 Best Presentation Award
  • 2010/07 - (社)応用物理学会 中国四国支部 応用物理学会 中国四国支部 貢献賞
  • 2009/09 - 応用物理学会 応用物理学会フェロー表彰
  • 2004/05 - Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. Selete Achievement Award
  • 2003/04 - The Japan Society of Applied Physics Jpn. J. Appl. Phys. Editorial Contribution Award
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所属学会 (11件):
公社)日本表面真空学会 ,  公社)日本工学教育協会 ,  一社)日本MRS ,  公社)応用物理学会 ,  公社)応用物理学会 ,  公社)応用物理学会 ,  公社)応用物理学会 ,  The Electrochemical Society ,  Material Reseach Society ,  旧)公社)日本表面科学会 ,  一社)電子情報通信学会
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