研究者
J-GLOBAL ID:200901055261491653
更新日: 2020年06月05日
宮崎 剛英
ミヤザキ タケヒデ | Miyazaki Takehide
所属機関・部署:
独立行政法人産業技術総合研究所 ナノシステム研究部門 エレクトロニクス材料シミュレーショングループ
独立行政法人産業技術総合研究所 ナノシステム研究部門 エレクトロニクス材料シミュレーショングループ について
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ホームページURL (1件):
http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T73346665
研究分野 (4件):
結晶工学
, 応用物性
, ナノマイクロシステム
, ナノ材料科学
研究キーワード (1件):
半導体 計算科学 材料設計 エレクトロニクス材料
MISC (10件):
T Miyazaki, S Yamasaki. Ab initio energetics of phosphorus related complex defects in synthetic diamond. PHYSICA B-CONDENSED MATTER. 2006. 376. 304-306
T Miyazaki, S Yamasaki. Effect of rapid sample cooling on efficiency of multiple impurity-atom doping. DIAMOND AND RELATED MATERIALS. 2005. 14. 11-12. 2039-2042
T Miyazaki, S Yamasaki. Efficiency of multiple atom doping in wide band gap semiconductors. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2005. 86. 26. 261910-261912
MIYAZAKI Takehide, YAMASAKI Satoshi. Thermodynamic theory for efficiency of multiple impurity-atom doping in diamond. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH. 2005. 202. 11. 2134-2140
T Miyazaki, H Hiura, T Kanayama. Electronic properties of transition-metal-atom doped Si cage clusters. EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL D. 2003. 24. 1-3. 241-244
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所属学会 (1件):
日本物理学会
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