研究者
J-GLOBAL ID：200901059371803885   更新日: 2024年11月12日

秩父 重英

チチブ シゲフサ | Chichibu Shigefusa
所属機関・部署：
東北大学 多元物質科学研究所 計測研究部門 量子光エレクトロニクス研究分野

東北大学 多元物質科学研究所 計測研究部門 量子光エレクトロニクス研究分野 について


職名： 教授
ホームページURL (1件)： http://www2.tagen.tohoku.ac.jp/lab/chichibu/html/index-j.html
研究分野 (4件)： 電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性 ,  半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (5件)： 半導体量子光物性 ,  半導体電子工学 ,  半導体結晶光物性 ,  酸化物半導体 ,  窒化物半導体
競争的資金等の研究課題 (21件)：
  • 2023 - 2025 グラファイト型層状窒化ホウ素の気相合成と光電子素子材料としての物性解明
  • 2022 - 2025 六方晶および閃亜鉛鉱構造窒化ホウ素の高温気相エピタキシャル成長と導電性制御
  • 2021 - 2025 III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
  • 2020 - 2023 六方晶窒化ボロン半導体の直接遷移型化と深紫外励起子発光ダイナミクスの研究
  • 2020 - 2023 窒化ホウ素の科学のための高品位単結晶創製
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論文 (571件)：
  • Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Hiroko Iguchi, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, et al. Impacts of vacancy complexes on the room-temperature photoluminescence lifetimes of state-of-the-art GaN substrates, epitaxial layers, and Mg-implanted layers. Journal of Applied Physics. 2024. 135. 18. 185701 1-20
  • K. Shima, K. Kurimoto, Q. Bao, Y. Mikawa, M. Saito, D. Tomida, A. Uedono, S. Ishibashi, T. Ishiguro, S. F. Chichibu. Improved midgap recombination lifetimes in GaN crystals grown by the low-pressure acidic ammonothermal method. Applied Physics Letters. 2024. 124. 18. 181103 1-6
  • Akira Uedono, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Jun Uzuhashi, Tadakatsu Ohkubo, Shoji Ishibashi, et al. Vacancy-Type Defects and Their Trapping/Detrapping of Charge Carriers in Ion-Implanted GaN Studied by Positron Annihilation. physica status solidi (b). 2024. 261. 2400060 1-10
  • Kohei Shima, Tin S. Cheng, Christopher J. Mellor, Peter H. Beton, Christine Elias, Pierre Valvin, Bernard Gil, Guillaume Cassabois, Sergei V. Novikov, Shigefusa F. Chichibu. Cathodoluminescence spectroscopy of monolayer hexagonal boron nitride. Scientific Reports. 2024. 14. 1. 169 1-8
  • T. Onuma, K. Kudo, M. Ono, W. Kosaka, K. Shima, K. Ishii, K. Kaneko, Y, Ota, T. Yamaguchi, et al. Steady-state and dynamic characteristics of deep UV luminescence in rock salt-structured MgxZn1-xO. Journal of Applied Physics (2023). 2023. 134. 2. 025102 1-11
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MISC (236件)：
  • 栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 石黒徹, 秩父重英. 低圧酸性アモノサーマル法による GaN 単結晶成長技術の開発. 日本製鋼所技報. 2021. 72. 13-20
  • 小島一信, 秩父重英, 吉田悠来, 白岩雅輝, 菅野敦史, 山本直克, 淡路祥成, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道. 特集:東北大学グリーンネストICT "LEDを用いたノイズに強い光無線通信技術の研究 ~真夏の直射日光下において毎秒1ギガビット以上の通信速度を実現~". 電波技術協会報FORN. 2021. 342. 18-21
  • 小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英. 深紫外AlGaN LEDを用いたギガビット級ソーラーブラインド光無線通信. 電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM). 2021. 2021
  • 宮澤篤也, 太田悠斗, 松川真也, 林幸佑, 中川央也, 川崎晟也, 安藤悠人, 本田善央, 天野浩, 天野浩, et al. BGaN中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響(2). 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • 嶋紘平, LU Weifang, 小島一信, 上山智, 竹内哲也, 秩父重英, 秩父重英. InGaN/GaN多重量子殻の時間空間分解カソードルミネッセンス評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
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特許 (15件)：
  • 結晶製造用圧力容器
  • 結晶製造用圧力容器
  • 結晶製造用圧力容器
  • 中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法
  • 窒化物半導体紫外線発光素子
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書籍 (11件)：
  • 応用電子物性分科会誌
    応用電子物性分科会 2024
  • 次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術
    S&T出版, 岩室憲幸監修 2022 ISBN:9784907002930
  • 次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術
    S&T出版, 岩室憲幸監修 2022 ISBN:9784907002930
  • 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化
    (株)エヌ・ティー・エス, 岩室憲幸監修 2022
  • Ammonothermal Synthesis and Crystal Growth of Nitrides edited by E. Meissner and R. Niewa
    Springer (Springer Series in Materials Sciences, Vol. 304) 2021
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講演・口頭発表等 (731件)：
  • Room-temperature photoluminescence lifetimes of Mg-doped p-type GaN layers grown by halide vapor phase epitaxy
    (12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024) 2024)
  • Minority carrier capture coefficients of major midgap recombination centers in the state-of-the-art GaN substrates, epilayers, and Mg-implanted layers
    (12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024) 2024)
  • Spatio-time-resolved cathodoluminescence study of InGaN/GaN multiquantum shells
    (12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024) 2024)
  • エミッション顕微鏡を用いたUV-C LEDにおける中長期劣化の観察
    (2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
  • Cathodoluminescence studies of hexagonal BN polytypes and monolayer BN
    (European Materials Research Society, 2024 Fall Meeting, Symposium P: Boron Nitride: from advanced growth approaches to advanced applications 2024)
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Works (1件)：
  • 科技機構創造科学技術推進事業中村不均一結晶プロジェクト
    2001 -
学歴 (3件)：
  • 1990 - 1994 慶應義塾大学 理工学研究科 電気工学
  • 1986 - 1988 慶應義塾大学 理工学研究科 電気工学
  • 1982 - 1986 慶應義塾大学 理工学部 電気工学
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (慶應義塾大学)
経歴 (10件)：
  • 2007/02 - 現在 東北大学 多元物質科学研究所
  • 2001/10 - 2007/03 科学技術振興機構 創造科学技術推進事業 中村不均一結晶プロジェクト不均一結晶評価グループリーダー
  • 1999/05 - 2007/01 筑波大学 助教授 物理工学系
  • 1999/04 - 1999/04 筑波大学 助教授 物質工学系
  • 1994/04 - 1999/03 東京理科大学 嘱託助手 理工学部電気工学科
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委員歴 (3件)：
  • 2011/04 - 現在 日本学術振興会 第162委員会学術委員
  • 2008/04 - 2009/03 応用物理学会 論文賞審査委員
  • 2008/04 - 2009/03 応用物理学会 論文賞審査委員
受賞 (16件)：
  • 2021/11 - Applied Physics Letters Editor's Pick Improved minority carrier lifetime in p-type GaN segments prepared by vacancy- guided redistribution of Mg
  • 2021/07 - 公益社団法人応用物理学会 第43回(2021年度)応用物理学会優秀論文賞
  • 2019/07 - The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) ベストポスター賞 Evaluation of Subsequent Implantation Effect into Mg Implanted Region in GaN
  • 2019/06 - 19th International Workshop on Junction Technology (IWJT2019), Best Paper Award, "Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes"
  • 2017/07 - 応用物理学会 応用物理学会フェロー表彰
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所属学会 (1件)：
応用物理学会
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