黒田慧慶

クロダエキョウ | Kuroda Ekyou

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (4件)：無機材料、物性 , 電子デバイス、電子機器 , 結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (7件)：無機材料・物性 , 電子デバイス , 結晶工学 , 応用物性 , Inorganic Material , Electron Device , Crystal Technology

競争的資金等の研究課題 (4件)：

MISC (38件)：

バレル型成長炉におけるジフルオロシランを用いた選択エピタキシャルシリコン成長. 名古屋音楽大学研究紀要. 1999. 18. 15
Selective Epitaxial Silicon From SiH₂F₂ in a Barrel Reactor. NAGOYA COLLEGE OF MUSIC. 1999. 18. 15
シリコンエピタキシャルの研究. 豊田工業大学電子テバイス10年の歩み. 1993. 62
Study on Silicon Epitaxial. 1993. 62
S NAGIRA, A HATANO, M TAKEUCHI, E KURODA, M MIGITAKA. LOW-TEMPERATURE SILICON THERMAL CVD EPITAXY USING DICHLOROSILANE AND DIFLUOROSILANE AS REACTANT GAS. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 1990. 106. 4. 719-723

Works (1件)：

学歴 (4件)：

学位 (2件)：

所属学会 (3件)：

日本結晶成長学会 , 日本化学会 , 応用物理学会

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黒田 慧慶