研究者
J-GLOBAL ID：200901061534597727
更新日: 2020年05月29日
徳田 豊
トクダ ユタカ | Tokuda Yutaka
所属機関・部署：
愛知工業大学 工学部 電子工学科
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職名：
教授
研究分野 (1件)：
電子デバイス、電子機器
研究キーワード (2件)：
半導体デバイス
, Semiconductor Device
競争的資金等の研究課題 (2件)：
半導体デバイスプロセスに関する研究
Study on Semiconductor Device Process
MISC (23件)：
Interaction of Hydrogen with the Vacancy-oxygen Pair in n-type Silicon by Electron Irradiation "jointly authored". Semiconductor Science and Technology. 2000. 15. 2. 126-129
Characterization of Metastable Hydrogen-related Defects in n-GaAs by Isothermal Constant-capacitance-voltage spectroscopy "jointly authored". Journal of Crystal Growth. 2000. 210. 1/3. 260-263
Annihilation and Transformation of Electron Traps in Hydrogen-implanted n-type Silicon by Light Illumination "jointly authored". Material Science and Engineering. 2000. 71. 1-3. 1
Light-illumination-induced Transformation of Electron Traps in Hydrogen-implanted n-type Silicon "jointly authored". Journal of Applied Physics. 1999. 86. 10. 5630-5635
Search for Midgap levels in 3C-SiC Grown on Si Substrates "jointly authored". Japanese Journal of Applied Physics. 1999. 38. 10A. L1094-L1095
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書籍 (2件)：
半導体デバイス工程評価技術
リアライズ社 1990
Characterization Technologies of Semiconductor Devices
1990
学位 (1件)：
工学博士 (大阪大学)
受賞 (1件)：
1985 - 日東学術振興財団助成金
所属学会 (2件)：
電子情報通信学会
, 応用物理学会
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