研究者
J-GLOBAL ID:200901061544609812
更新日: 2020年05月06日
盧 柱亨
ノ ジュヒョン | Noh Joohyong
所属機関・部署:
関東学院大学 材料・表面工学研究所
関東学院大学 材料・表面工学研究所 について
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職名:
教授
研究分野 (4件):
電子デバイス、電子機器
, 光工学、光量子科学
, 結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (6件):
Epitaxial Growth
, Opto-electronics
, Opto-electronical device
, エピタキシャル成長
, 光制御
, 光デバイス
競争的資金等の研究課題 (6件):
GaP/InP自己形成・量子ドットのSTM/STS評価に関する研究
5層非対称結合量子井戸の層厚ゆらぎを考慮した電界誘起屈折率変化特性の解析
MEE法の5層非対称結合量子井戸光変調器作制への応用
Characterization of self-organized GaP/InP Quantum dots by STM(Scanning Tunneling microscopy)/STS(Scanning Tunneling Spectroscopy)
Dependence of Electrorefractive Index Change on Layer Thickness Fluctuation in a Five-layer Asymmetric coupled Quantum well (FACQW)
Application of MEE (Migration Enhanced Epitaxy) method to fabricating FACQW (five-layer Asymmetric coupled Quantum well) Optical modulator
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MISC (9件):
S Ghosh, BM Arora, SJ Kim, JH Noh, H Asahi. Spectroscopic study of self-organized quantum dot like structures in Ga-In-P superlattices on (311) GaAs. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 1999. 85. 5. 2687-2693
Time-Resolved Photoluminescence study of strain-induced quantum dots self-formed in GaP/InP short-period super lattice. Japanese Journal of Applied Physics. 1999. 38. 9A/B. L1006-L1008
Growth temperature dopendence of self-formation process of quantum dot structures in GaP/InP superlattices grown on GaAs(311)A substrate. Japanese Journal of Applied physics. 1999. 38. 4B. 2521-2523
Scanning Tunneling Microscopy study on self-formation process of quantum dot structures by the Growth of GaP/InP short-period superlattices. Japanese Journal of Applied physics. 1998. 37. 6B. 3793-3795
Self-organized quantum dot structures in strained (GaP)n(InP)m short-period superlattices grown on GaAs(N11)A by gas-source MBE. Journal of Crystal Growth. 1997. 175/176. Pt.2. 754-759
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学歴 (3件):
- 2000 大阪大学 工学研究科 電子情報エネルギー工学
- 2000 大阪大学
- 1993 明知大学校 工学部 無機材料工学科
学位 (1件):
博士(工学) (大阪大学)
所属学会 (1件):
応用物理学会
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